无基底糖发泡法用三维石墨烯制备大功率密度超级电容器(材料外文翻译).docVIP

无基底糖发泡法制备Xuebin Wang1,2, Yuanjian Zhang3, Chunyi Zhi4, Xi Wang1, Daiming Tang1, Yibin Xu5, Qunhong Weng1,6, Xiangfen Jiang1,2, Masanori Mitome1, Dmitri Golberg1,6 Yoshio Bando1,2 1世界国际材料纳米结构材料国际中心（WPI-MANA），国家材料科学研究所（NIMS），筑波3050044，日本。2早稻田大学科学与工程学院纳米科学与纳米工程系，东京1698555，日本。 3东南大学化学化工学院，南京211189，中国。4香港城市大学物理与材料科学系，香港999077。5环境与能源材料部，NIMS，筑波3050047，日本。6纳米管集团，NIMS，筑波3050044，日本。 宏观世界中的三维石墨烯结构在原则上可以保持单个石墨烯片的全部优越的纳米级性质。然而，目前的3D石墨烯产品具有较差的导电性，低表面积和机械强度/弹性不足，而且自组装互连的和可再生的3D石墨烯仍然不可用。这里，我们报道一种基于聚合物前驱物的糖发泡法合成3D网络结构的泡沫石墨烯。气泡网络由单层或几层石墨膜组成，其紧密胶合，通过微米级石墨框架进行刚性固定和空间搭建。这样的拓扑结构提供了紧密的结构互连，电子/声子传输的高速通道，大的可及表面积以及强大的机械性能。因此，石墨烯网络克服了目前现有3D石墨烯产品的缺点，并且为多种实际应用（例如，高功率高能量电化学电容器）开拓更广的视野，如本文所强调的。 最近学者们对3D石墨烯进行了大力的研究。如柱状石墨烯，用于功能金属、氧化物、聚合物或碳纳米管（CNT）连接器上的物理/化学组件的石墨烯杂化物，使用自组装合成的大孔石墨烯以及源自直接模板化学气相沉积（CVD）的石墨烯网络都已经被提出并研究。然而，石墨烯杂化物和大孔石墨烯都仍然受异质片间连接和高结电阻的影响。CVD生长的石墨烯网络具有良好的互连性，但由于原始石墨烯框架的柔软性不足以提供机械支持。此外，CVD方法中的模板使用限制了大规模生产并且导致高的产品成本（商业价格：50美金/立方厘米）。目前这些可用的石墨烯产品仍远远不能满足那些可行并有前景的应用。 这里，由一个古老的食品艺术“糖发泡糖发泡糖发泡以SG为基μm（插图S1）。框架的定义是三/四个气泡合并的边界。 具有平均宽度为3.5μm的石墨框架构成气泡的骨架和石墨膜作为面紧密地固定在它们上。如图1b所示，石墨小面在SG一侧，主要是扭曲的五边形，有时为四边形，六边形或七边形。这种拓扑在理论上近似于每面具有5.1个边的稳定状态多边形单元。 SG的互连支柱与膜结合以形成独特的结构（图1c，d）。支柱用作连接器以传导电子/声子，作为阻止石墨膜分解的固定器和防止单个石墨膜聚集或重新堆叠的支撑物。由于这种特殊的结构配置，因此，SG全面具有1Sm-1的高导电性。该配置也有利于在气泡通道内提供平稳的异物传递，并保持石墨烯固有的大表面积。 尽管该产品具有与碳气凝胶相当的3.0mg·cm-3的超低密度，该集成架构进一步决定了SG力学稳定性。如图1e所示，在压缩试验下超轻SG表现出高弹性。这种行为类似于基于石墨烯的蜂窝状块体，软木和其他弹性体泡沫。 SG甚至可以在压缩到80％情况下恢复原来状态（插图S2）。 高度可逆而不破坏的弹性表明了这种自支撑结构有坚固性和结构完整性。在强压缩至80％后仍维持0.6Sm-1的显著导电率进一步证实了说法。坚固的结构有利于高抗性/耐久性，进一步的机械加工中具有可靠的大表面积，实际应用不需要额外的保护。 SG是高度石墨化产品。在X射线衍射（XRD）图（图1f）中它显示出高结晶度，具有位于26.0°的（002）强峰。该峰的宽度表明石墨晶体沿着[002]方向的尺寸减小，根据谢勒公式估计为2.7nm。 图1 | SG的3D气泡状网络。（a）扫描电子显微镜（SEM）图像和以4℃·min-1的加热速率获得的70mg SG片的光学照片。插图是对应于由八个五边形和两个四边形面对的两个连接的十面体十二面体的红色标记的区域的重构拓扑，以及八个五边形，三个四边形和一个七边形。（b）SG产品背面的fl的SEM图像，具有通过人造被子颜色识别的连接的细胞的规则排列。（c，d）SG网络的2D和3D光学照片。（e）SG样本的原始，压缩和恢复状态的照片。（f）SG的XRD资料。 刻度棒，200μm（a-d中）和1cm（e中）。 SG具有不同尺度的分层多孔结构，即气泡，波纹和凹面。气泡被接合到石墨支柱上的石墨膜限制。大的石墨膜不平，充满了平均尺寸为12nm的沙丘状波纹（图2a，b）。目前，糖发泡 图2 | 起泡几层石墨烯膜和SG的高表面积。（a，b）通过其支柱连接的破碎的几层石