光电子技术期末考试.docVIP

2010年春季学期《光电子技术》期末考试大纲 总结：覃高鄂 鄂E001：A光和B光相同是指：振幅、偏振、角频率和初位相相同 鄂E002：为什么说光波是电磁波?写出折射率与介电常数间关系。 解答： 根据麦氏方程推导, 电磁波在真空中的速度为： 比较上述两个式子我们可以知道： 而当时测得的无极分子物质，按上式计算的折射率与测量的折射率能 很好的符合。当时测得的为有极分子物质，上式中的ε用光波频率时的值，则上式就成立了。平时ε在低频电场下测量。 综述以上判断光波是电磁波。 鄂E003：可见光谱的范围是760-400nm，从可见光向两边扩展，波长比它长的称为红外线，它的热效应特别显著；波长比可见光短的称为紫外线，它有显著的化学效应和荧光效应。 鄂E004：写出麦克斯韦方程组的微分形式及其物理意义 微分形式如下： 物理意义如下： (Ⅰ)式：电位移矢量或电感应强度Ｄ的散度等于电荷密度　，即电场为有源场。(Ⅲ)式：磁感强度Ｂ的散度为零，即磁场为无源场。 (Ⅱ)式：随时间变化的磁场激发涡旋电场。(Ⅳ)式：随时间变化的电场激发涡旋磁场。 鄂E005：由麦克斯韦方程积分形式推导出微分形式 高斯定理： 斯托克斯定理： 高斯定理的微分形式推导 设自由电荷q0是体分布的，为电荷的体密度，则(1.12)式的(I) 式为： 根据高斯定理，得： 由此可以得到： 安培环路定理的微分形式推导 假定传导电流是体分布的，其密度为J0，则 根据斯托克斯定律 由此可以得到： 鄂E006：画出空间电磁波的传播示意图，并标出电场与磁场的方向。 鄂E007：光电子技术主要是研究光的产生、传输、控制和探测的科学技术。 鄂E008：试述电磁波在介质边界法向和切向的跃变特点 界面两侧电场的切向分量连续 界面两侧磁场的切向分量发生了跃变 界面两侧电场的法向分量发生了跃变 界面两侧磁场的法向分量连续 边界条件表示界面两侧的场以及界面上电荷电流的制约关系,它实质上是边界上的场方程。由于实际问题往往含有几种介质以及导体在内，因此，边界条件的具体应用对于解决实际问题十分重要。 鄂E009：平面电磁波的性质 电磁波是横波，电矢量E、磁矢量H和传播方向K（K为传播方向的单位矢量）两两垂直； E和H幅度成比例、复角相等 电磁波的传播速度 3×108m/s 鄂E010：简述波尔频率 玻尔假说： 1）原子存在某些定态，在这些定态中不发出也不吸收电磁辐射能。原子定态的能量只能采取某些分立的值E1、 E2 、…… 、En ，而不能采取其它值。 2）只有当原子从一个定态跃迁到另一个定态时，才发出和吸收电磁辐射。 玻尔频率条件： 式中h为普郎克常数：h=6.62×10-34J.s 鄂E011：模式符号TEMmnk含义是什么？ 激光的模式一般用TEMmnk表示，TEM是电磁横波的缩写，k为纵模数。在轴对称横模中，m,n分别表示光束横截面内在x方向和y方向出现的暗区（即节点）数，如TEM13，在x方向有1个暗区，在y方向有3个暗区；在旋转对称横模中，m表示沿半径方向出现的暗环数，n表示圆中出现的暗直径数。如TEM03，图中无暗环，有三条暗直径。 横模TEMmn 轴对称横模图(a) 旋转对称横模图(b)。 鄂E012：激光器的基本结构包含哪几部分？形成激光的条件是什么？ 一般激光器包涵三个基本部分：激活物质、激励源、光学谐振腔 形成激光满足的两个条件： 在激光器工作物质内的某些能级间实现粒子数反转分布；2、激光器必须满足阈值条件 鄂E013：三种跃迁过程: 自发辐射：若原子处于高能级E2上，在停留一个极短的时间后就会自发地向低能级E1跃迁，如图，并发射出一个能量为hv的光子。 受激吸收:当外来辐射场作用于物质时，假定辐射场中包含有频率为v＝（E2-E1）/h的电磁波（即有能量恰好为hv＝ E2-E1 的光子），使在低能级E1上的粒子受到光子激发，可以跃迁到高能级E2去，这个过程称为受激吸收。 受激辐射:当外来辐射场作用于物质时，在物质内部也可能发生与受激吸收相反的过程。爱因斯坦根据量子理论指出，当辐射场照射物质而粒子已经处在高能级E2上时，这时会发生一个十分重要的过程——受激辐射过程。 鄂E014：三种跃迁过程 由于原子在各能级上有一定的统计分布，故在满足上述频率条件的光束照射下，两能级间受激吸收和受激辐射这两个相反的过程总是同时存在，相互竞争，其宏观效果是二者之差。当吸收过程比受激辐射过程强时，宏观看来光强逐渐减弱