电子线路(非线性部分)第五版第四章调制及解调.ppt

二、二极管环形混频器和双差分对平衡混频器 1、二极管环形混频器 二极管环形混频器具有工作频带宽、噪声系数低、混频失真小、动态范围大等优点。但是对于混频器组件的主要指标，混频增益，二极管环形混频器因自身器件的问题非但没有增益，还有混频损耗。 实际上，考虑变压器和二极管中的损耗，Lc约为（6～8）dB，且当工作频率增高时，由于二极管结电容和变压器分布参数的影响，Lc将相应增大。 除混频损耗外，二极管环形混频器的主要缺点还有端口之间的隔离度较低，其中L 端口到 R 端口的隔离度一般小于40 dB ，且随着工作频率的提高而下降。应用时，各端口都必须接入滤波匹配网络，分别实现混频器与输入信号源、本振信号源、输出负载之间的阻抗匹配。 2、双差分对平衡混频器 双差分对平衡混频器的特点是混频增益大，而且输入端只需要电压激励，一般不必加功率匹配网络，使用比较方便。端口之间的隔离度高。 双差分对平衡混频器的主要缺点是噪声系数较大（10dB），动态范围小。 4.3.2 三极管混频电路 、作用原理 下图是三极管混频器的原理电路。L1、C1为输入信号回路，调谐在fc上。L2、C2为输出中频回路，调谐在fI上。本振电压 接在基极回路中，VBB0为基极静态偏置电压，加在发射结上的电压 。 若将vBB0+vL作为三极管的等效基极偏置电压，用vBB（t）表示，称之为时变基极偏压，则当输入信号电压很小，满足线性时变条件时，三极管集电极电流 iC ≈f (vBE)≈Ic0(vL)+gm(vL)vs gm(t)中的基波分量gm1与输入信号电压 vs 相乘 gm1 = gm1 令 ，得到的中频电流分量为 称为混频跨导 二、电路 三、双栅MOS场效应管混频电路 双栅MOS场效应管有两个栅极，其中一个加输入信号电压vS，另一个加本振电压vL，相应构成的混频电路如图所示。图中，R1～R6和滤波电容C1 、C2为分压式偏置电路，输出中频滤波器采用双调谐耦合回路。 将双栅场效应管用两个级联的场效应管表示。图中，下面管子T2的漏极直接接到上面管子T1的源极上，iD=iD1 =iD2，通常T2（加vS）工作在非饱和区。 与晶体三极管混频器比较，双栅场效应管混频器具有混频失真小、动态范围大、工作频率高等优点。 4.3.3 混频失真 一般情况下，由于混频器件特性的非线性，混频器将产生各种干扰和失真，包括干扰哨声、寄生通道干扰、交叉调制失真、互相调制失真等。 、干扰哨声和寄生通道干扰 1、干扰哨声 当混频器输入端作用着频率为 fc 的有用信号时，一般情况下，混频器件输出电流中将出现由下列频率通式表示的众多组合频率分量。 它们的振幅随着(p+q) 的增大而迅速减小。只有一个变换通道（取p=q =1）是有用的，其余大量的变换通道都是无用的，其中有的还十分有害。 2、寄生通道干扰 当接收机调谐在 fc上，接收频率为 fc的信号时，本振频率应为fL，且fL－fc＝fI 。这时，若加到混频器输入端的是频率为fM 的干扰信号，则混频器件输出电流中将出现由下列频率通式表示的众多组合频率分量。 在上述众多通道中，若某些通道的p和 q值及其所取的正、负号满足下列关系式 则干扰信号通过这些通道就能将其频率由 fM变换为 fI 。通常将这种干扰称为寄生通道干扰。 对应于p = 0 ，q = 1的寄生通道，相应的fM = fI ，称为中频干扰。对于这种干扰信号，混频器实际上起到了中频放大器的作用，具有比有用信号更强的传输能力。 另一个是对应于p = 1 ，q = 1的寄生通道，相应的fM用fK表示，其值为 fK＝fL＋fI＝fc＋2FI 如果将fL想象为一面镜子，则fk就是fc的镜像，故称为镜像频率干扰或对象频率干扰。对于这种干扰信号，它所通过的寄生通道具有与有用通道相同的p和 q值（p=q =1），因而具有与有用通道相同的变换能力。 可见，如果上述两种干扰信号能够加到混频器的输入端，混频器就能有效地将它们变换为中频。因而，要对抗这两种干扰信号，就必须在混频器前将它们抑制掉。鉴于它们的危害性，接收机的性能指标中一般都要列出对它们抑制的要求。 二、交调失真和互调失真 1、交调失真 当混频器输入端同时作用着有用信号vS和干扰信号vM时，混频器除了对某些特定频率的干扰形成寄生通道干扰外，还会对任意频率的干扰信号产生交叉调制失真。 若设混频器件在静态工作点上展开的伏安特性为 v的二次方项（2a1vLvS），四次方项（4a4vS+4a4vL+12a4vLvS）及更高偶次方项均会产生中频电流分量，其中12a