具有应变沟道及犈犗犜12状犿高性能栅长22状犿犆犕犗犁器件.PDFVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 具有应变沟道及犈犗犜１２狀犿高性能 栅长２２狀犿犆犕犗犛器件 ， １ １ ２ ２ １ １ １ １ １ 徐秋霞 钱 鹤 段晓峰 刘海华 王大海 韩郑生 刘 明 陈宝钦 李海欧 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 （ 中国科学院微电子研究所，北京 ） １ １０００２９ 　 （ 中国科学院物理研究所，北京 ） ２ １０００８０ 　 摘要：深入研究了亚 ３０狀犿犆犕犗犛关键工艺技术，特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术———犌犲 预非晶化 ／ 延伸区诱生沟道应变技术，它使栅长 空穴有效迁移率在 ／ 电场下提高 犛犇 ９０狀犿 犕犗犛 ０６犕犞 犮犿 ３２％． 狆 而且空穴有效迁移率的改善，随器件特征尺寸缩小而增强 利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表 ． 明，在沟道区相应的压应变为 在集成技术优化的基础上，研制成功了高性能栅长 应变沟道 －３６％． ２２狀犿 犆犕犗犛 器件及栅长 分频器电路（其中分别嵌入了 级／ 级环形振荡器）， 为 ，具有 自对 ２７狀犿犆犕犗犛３２ ５７ ２０１ 犈犗犜 １２狀犿 犖犻 准硅化物． 关键词：应变硅沟道；压应力； 预非晶化注入；等效氧化层厚度；栅长； 犌犲 犆犕犗犛 ： ； 犈犈犃犆犆 ２５５０犅 ２５５０犖 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３８６ 犃 ０２５３００２８３０８ 　　　 　　　 产发展的迫切需要 本文着重讨论了我们沿第