第1章材料及电子理论.ppt

在Kx方向施加一外电场?，每个电子都受到电场力e?，使不同状态的电子都获得与电场方向相反的加速度，相当于费米球向+Kx方向平移了?Kx——此时波矢接近+KF的电子沿+Kx方向运动就形成了宏观电流——因为移动后的虚线圆不再关于K空间原点对称，这些电子的运动没有其相应的反向运动的电子相抵消，形成了宏观的净电荷迁移。 部分填充的布里渊区中费米球在外电场作用下的移动 ——部分填充的能带可导电。 不同材料能带结构不同，使其导电性有巨大差异 ——导体中总是有部分填充的能带，即其允带一部分能级被电子填充，另一部分能级空着，这样的能带称为导带。 导体的能带结构示意图 绝缘体的能带结构示意图 绝缘体的能量较低的允带是满填的，虽然能量较高的允带可能是空带，但两个允带之间有很宽的禁带（比如禁带宽度?E=3－6eV）。因此在外电场作用下电子也不能逸出能量较低的布里渊区，宏观上不能形成电荷的净迁移，不能产生电流。 半导体的能级结构与绝缘体的相似，但其禁带宽度小（比如?E=0.1－2eV），因而在不很高的温度下，满带中的部分电子受热运动影响，能够被热激发而越过禁带，进入上面的空带中去而形成自由电子，从而产生导电能力。 半导体的能带结构示意图 温度越高，电子越过禁带的机会越多，半导体的导电能力越强。 而且，当满带中的部分电子越过禁带进入上面的空带时，下面的满带中产生了一些空能级位置（称为“空穴”），使满带中剩余的电子中能量较高的可以跃迁到这一空穴中来，从而使该满带中的电子也能参与导电。 经典理论认为所有的自由电子均参与导电，而能带理论认为只有能量在费米面附近的电子才参与导电——二者的根本区别。 单电子近似：假定固体中的原子核不动，每个电子都是在固定的原子核的势场和其他电子的平均势场中运动——多电子问题转化为单电子问题 晶体：设想其他电子形成的是不变的平均势场，而周期性排列的原子核则形成周期性的势场，每个电子所处的势场仍然是周期性的，表示为 U(x+na)=U(x) x：空间位置坐标，a：晶格常数，n是整数。 1 近（准）自由电子近似 一维晶体的势能变化曲线 要求解电子在周期性势场中运动的波函数——找出U(x)的表达式，将其代入薛定格方程求解。 近（准）自由电子近似：假设(1)点阵完整，晶体无穷大，不考虑表面效应；(2)不考虑离子热运动对电子运动的影响；(3)每个电子独立地在离子势场中运动，不考虑电子间的相互作用；(4)周期势场随空间位置的变化较小，可当作微扰处理。 在此假设下，U(x)可表示为： 代入 得到电子在一维周期势场中运动的薛定格方程 布洛赫(Bloch)定理：电子在一维周期势场中运动的薛定格方程的解具有下列形式： f(x)=f(x+na)x：空间位置坐标，a：晶格常数，n是整数。 ?(x)=eikx?f(x) 其中f(x)是位置x的周期函数，且其周期与晶格和U(x)的周期相同。即 在近自由电子近似下，借助布洛赫定理，薛定格方程可解。 自由电子近似和近自由电子近似下的E-K关系(a) 自由电子近似下；(b) 近自由电子近似下；(c)对应(b)图的能带 2 能带 自由电子近似下抛物线关系 近自由电子近似，某些K值下抛物线关系 某些K值下偏离抛物线关系 近自由电子近似下：一些能量范围是允许电子占据的，称为允带；另一些能量范围是禁止电子占据的，称为禁带。将允带和禁带统称为能带。 某些K值下E发生突变，电子占满 能级后即占据 能级，两个能级之间的能态是禁止的。 禁带出现：从量子力学按近自由电子近似的条件解薛定格方程的结论。 用布拉格定律的推证：原子阵列(点阵)对电子波的散射 3 禁带出现的原因 假设有一电子波A0eiKx沿+x方向垂直于某原子面射入晶体。 当这一电子波通过每一列原子时，就发射子波，且由每个原子相同地向外传播。 这些子波相当于光学中由衍射光栅的线条传播出去的惠更斯子波。 由同一列原子传播出去的子波都是同相位的，这是因为他们都同时由入射波的同一波峰或波谷所形成，结果他们因干涉而形成两个与入射波同类型的平面波。 这两个平面波一个向前传播，与入射波不能区分，另一个向后传播，相当于反射波。 绝大多数的K值（波长）的入射波：不同列的原子的反射波相位不同，这些反射波由于干涉而互相抵消，即反射波为0——其传播在晶体中好像没有受到影响——周期性整齐排列的原子阵列对电子是完全“透明”的。 当入射电子波A0eiKx的波矢K满足布拉格条件时，反射波不再为0，得到一个干涉加强的反射波A1e-iKx。 布拉格条件：2dsin?=n?其中d是原子面间距，?是入射线与原子面之间的夹角。 代入?=90?，d=a，得到满足布拉格条件的波矢的大小： 其中n=1, 2, 3…。 因此，当K值满足布拉格条件时，仅用+x