实验七测量三极管的直流放大特性和击穿特性概念.docx

实验七 测量三极管的直流放大特性和击穿特性一、实验目的?1．学习晶体管特性图示仪的使用；?2、测量晶体管的输入和输出特性曲线；?3．测量晶体管的直流放大系数值；?4、测量晶体管的BVCEO，BVEBO和BVCBO。?二、实验原理1.输入和输出特性曲线??? ?图1 （1）共基极的输入和输出特性曲线 （2）共发射极的输入和输出特性曲线?2.?双极晶体管的电流放大作用?当晶体管处于有源放大区（发射结正偏，集电结反偏）时，其电流的组成为：图2? 放大模式偏置下PNPBJT中的扩散电流IE=IEp+IEn ??正向注入的空穴电流和电子电流?IC=ICp+ICn? 反向饱和漏电流ICBO和从发射结注入基区又到达????????????????????????集电结的空穴所形成的电流IcpIB=IE-IC=IB1+IB2+IB3 ( IB1=IEn, IB3=ICn, IB2是流入基区与发射区注入的空穴复合而损失的电子流。)我们定义共基极直流电流增益：?总是小于1（应尽量接近1）。?。?定义共射极直流电流增益：?（越大表明电流传输过程中的损失越小）?。?测量值?由共射极输出特性曲线??????????????图3? 共射极输出特性曲线?随着增加，集电极电流按的规律增加??3、晶体管的击穿特性?（1）共射极时的击穿和对共射极接法的有源放大区中，集电极电流为?图4 共发射极电路当发生雪崩倍增效应时，IC变成：?(M为倍增因子)上式中，表示发生雪崩倍增后的电流增益，?表示发生雪崩倍增后的穿透电流。?这时，定义：将基极开路 ，使时的称为集电极与发射极之间的击穿电压，记为。其测试电路如图所示。?图5? BVCEO击穿特性测试图在测量时，经常出现如图所示的负阻现象，即当增大到发生击穿后，电流上升，电压却反而下降，此时为维持电压。这是由于与击穿条件（倍增银子M）在小电流下较大，而导致击穿电压高；而电流增大后，M减小，击穿电压也下降到正常值。击穿时的输出特性曲线如图。??图6 ?C-E间的击穿特性（2）E-B结的击穿和集电极开路（）时，发射极与基极间反偏时的发射极电流为。当时的E-B间的反向击穿电压即为。通常是由发射结的雪崩击穿电压决定，一般要求。其测试电路如图。??图7 ?BVEBO击穿特性的测试电路图（3）C-B结的击穿和BVCBO三、实验内容及步骤1．开机前先将各控制旋纽调定如下：?Y轴选择开关 — 阶梯?X轴选择开关 — 2V/度?零电流、零电压开关 — 正常?阶梯选择开关 — 0.02V/级?阶梯极性 — 正?级/族 — 10集电极扫描极性 — 正?峰值电压范围 — 0~20V峰值电压 — 0功耗限制电阻 — 2K2． 输出特性曲线的测试：?A．开启电源，预热10分钟。调节辉度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度，阶梯调零。?B．根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP，并将极性开关置于常态。?C．被测试管的C、B、E管脚插在测试盒相应的插座上。?D．将Y/X轴选择开关置于合适的电流/电压档级。?E．选择合适的阶梯幅度/级开关，合适的功耗限制电阻。?F、峰值电压调节：调至零点后将测试选择开关拨到被测管一边，逐渐调高?集电极扫描电压得到输出特性曲线IC~VCE曲线，对所显示的IC~VCE曲线，进行调节，根据坐标刻度所在挡位读出IC值，根据阶梯选择开关得到Ib值。把你的到的IC~VCE曲线绘在记录本上，根据IC~VCE曲线计算晶体管的放大系数值。?3．饱和压降?将X轴测试选择波段开关置0.2V(Vc)，在一定的Ic处可从X轴上直接读取。?4．输入特性曲线?各开关所置挡位?Y轴选择开关—阶梯?X轴选择开关-合适的电压挡级（V/度，Vb）?阶梯选择开关-合适的阶梯幅度/级(mA/级)峰值电压范围-0 ~20V，?峰值电压调节：调至0点后将测试选择开关拨到被测管一边，逐渐调高集电极扫描电压得到输入特性曲线Ib-Vb, 读出Ib，Vb得增量值，便可计算出输入阻抗。?5．击穿电压BVCEO, BVEBO, BVCBO的测量?A、被测试管的CBE按规定进行连接。?B．将Y/X置于合适的电流/电压档级。?C．选择合适的阶梯幅度/级开关，合适的功耗限制电阻。?D．集电极电压置于合适的档级，峰值电压为零，逐渐加大水平偏转因数和集电极扫描电压，扫线拐点处即为击穿电压。?E．读出、?和BVCBO的值。?四：实验数据记录以及分析本次实验采用NPN管，选用三极管放大倍数为172。准备好数字万用表，旋到二极管位置，把三极管插进黄色槽，若插入正确，则显示正常放大倍数。IC-VCE曲线 图1 正向放大输出特性曲线其中，集电极电流=0.5mA/度，集电极电压=0.2V/度，阶梯信号=0.002mAβ=ΔIc/ΔIb=2.55mA/18uA=141.7说明由计算出的放大倍数，与万用