丝印、烧结交流21-3-14.ppt

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丝印、烧结交流21-3-14

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 生产测试中各电性能分析 测试分选是电池生产的最后一道工序,每片电池片的最终性能在这里都得到体现,所以我们的工艺人员有责任对我们的电性能进行实时的监控,一旦出现问题需要立即反馈排查。这就要求我们的工艺人员要有极高的主观能动性。 排查的原则一般是结合实际经验,根据电性能参数及电池片外观排查,或者逆向逐一排查,最终查明原因,保证工艺稳定 — 完 — 谢谢! * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 铝包及铝刺分析 铝包一般有以下几种原因: 1、烧结温度过高 2、烘干不够 3、铝浆印刷过薄 4、片内烧结温度差异过大 5、铝背场局部印刷后有小的突起 铝刺就目前来说主要为炉带的沾污所致,致使炉带与硅片的接触部分形成铝刺。这与铝的结晶有关。 正面电极的形成 正面电极的形成,是在经过烘干后,玻璃体穿透SIN薄膜,硅在玻璃体中溶解以及在结晶过程,最终形成接触,电流就能被导出的过程。 烧结中,烧结温度需匹配正面银奖,烧结不足与过烧都会对电池片性能产生较大影响。 正面电极的形成 正电极烧结不足与过烧示意图 正面电极的形成 栅线3D图(烧结后) 烧结的工艺调整控制点 烧结炉工艺一般有以下调整控制控制点 1、烧结曲线 2、烧结气氛 3、烧结炉温度的控制稳定性 4、烧结炉烧结区上下加热灯管功率的设置 5、烧结炉的清洁度 烧结曲线 烧结曲线包括了烧结温度的设定,烧结带速的设定、烧结炉的升温及降温速率等。 烧结炉的温度设定要考虑正电极及铝背场所用浆料类型,同时要考虑每个温区对应的实际烧结温度及作用。最终使铝背场及正电极都烧结充分。 烧结炉带速的调节影响烧结的时间,直接作用于烧结是否充分及升降温速率。 烧结的升降温速率对电性能及外观都有极大影响。 778.4 527.5 675.5 454.8 428.8 335.8 285.8 烧结炉分区温度曲线 330-370-400 550-530-550-690-820-890 -230inch/min Firing profile 烧结炉分区明细表 分区号 分区号 1 Load station进料区 11 Zone 6,firing烧结区,6 区 2 Entrance baffle/exhaust ,dryer 进料区 缓冲/排气口,干燥区 12 Zone 7,firing烧结区,7 区 3 Zone 1,dryer干燥区,1 区 13 Zone 8,firing烧结区,8 区 4 Zone 2,dryer干燥区,2区 14 Zone 9,firing烧结区,9 区 5 Zone 3,dryer干燥区,3区 15 Insulated transition tunnel/exhaust 隔热传送通道/排气口 6 Exit baffle/exhaust ,dryer 出片缓冲/排气口,干燥区 16 Radiant cooling section热辐射冷却区 7 Open inspection area 开放目检区 17 Exit baffle出片缓冲区 8 Entrance baffle/exhaust ,dryer 进料区 缓冲/排气口,烧结区 18 Open area 通道 9 Zone 4,firing 烧结区,4 区 19 Convective cooling section热传导冷却区 10 Zone 5,firing烧结区,5 区 20 Unload station出料区 21 Flame allowance 烧结曲线剖析 溶剂挥发阶段(室温-300度) 有机树脂分解排出(300-500度) 400度以上,玻璃体软化 600度以上,玻璃与减反层反应,实现导电 778.4 TIME ABOVE 577 ℃ :6.40S FROM 577 ℃ TO 778.4 ℃ :RISING SLOPE 54.43℃/sec FALLING SLOPE : -71.93 ℃/sec (铝一硅合金最低共熔点温度为577℃ ) 不同线间烧结曲线比较 4#某工艺下烧结曲线 3#某工艺下烧结曲线 这是某天3#及4#不同烧结工艺下的烧结曲线图,从图中可以看出,除去最高温度点的差异,它们的升降温趋势基本一致。 烧结

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