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电阻的概念及其发展 浙江师范大学数理信息学院 童国平 内容提要 欧姆电阻 产生电阻的主要因素 霍尔电阻 磁致电阻 巨磁电阻 纳米结构电阻 * * 1. 欧姆电阻 金属的欧姆电阻: 电阻率一般是温度T的函数, 其温度系数为: 解此微分方程可得: 欧姆电阻 其中 对大多数简单金属, 电阻率的温度系数近似为一常数: 欧姆电阻 欧姆定律的微分式可写为: 其中 为金属的直流电导率: 电子弛豫时间 电子质量 电子密度 电子有效质量 2. 产生电阻的主要因素 1) 电子-声子散射 结构完整的理想晶格: 电子主要受声子的散射 声子: 是格波正则量子化的准粒子 - -- 声子 产生电阻的主要因素 2) 电子受杂质原子散射 - 杂质原子 弹性散射 源于杂质原子基态和最低激发态之间的能量间隔远大于电子热运动能量: 几乎没有杂质原子处于激发态, 故在散射中能给电子能量. 与温度T无关 (剩余电阻) 产生电阻的主要因素 3) 电子受磁性杂质原子散射 磁性杂质原子 自旋 -- 第一个电子与磁性杂质原子散射将改变该磁性原子的自旋. 被改变自旋的磁性杂质原子又会对第二个散射电子产生影响. 形成电子关联 s自旋 Kondo 电阻: 产生电阻的主要因素 金属的电阻率一般可表示为: 此式称为马西森( Matthiessen’s rule)定则. 考虑到磁性原子的散射: 3. 霍尔电阻 Edwin Hall (导师: H.A.Rowland)发现: 1879年, Johns Hopkins 大学研究生 将载流导体板放在磁场中，使磁场方向垂直于电流方向，在导体板两侧之间就会出现横向电势差UH. 霍尔电阻率定义为横向电场与纵向电流密度的比: 霍尔电阻: 其中n 为载流子密度. 其中ns 为单位面积载流子数. 霍尔电阻 霍尔电阻 量子霍尔电阻 量子数 1990年起, 国际电阻标准采用这个标准。 霍尔电阻 分数量子霍尔电阻 1990年1月1日起在世界范围内启用量子化霍尔电阻标准代替使用了几十年的电阻实物基准. 中国计量科学研究院经过十几年的努力,在2003年建成了量子化霍尔电阻标准. 量子化霍尔电阻标准的不确定度为10量级,达到国际领先水平. 4. 磁致电阻 霍尔电阻实际上就是磁致电阻的一个例子。 在磁场中的电子将受到洛仑兹力作用发生运动方向改变，即发生散射，这就导致电阻的形成，称为磁致电阻。 介观金属环(金)磁致电阻以磁通量子为周期的振荡。 磁通量子: