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2017-10-11 发布于湖北
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微电子器件可靠性;3 失效物理;Si-SiO2界面特性;;;;Na+数目测量 —偏温测试(B-T) ①测不同温度下的高频C-V曲线 ②Na+数目 Nm=ΔVFB·qCOX(cm-2) ;;;;;;;;;;氧化层有多厚？250A;氧化层厚度与灰尘颗粒对比;对可靠性影响;降低氧化层电荷的方法;透过栅氧打耗尽（临时办法）;加强清洗（不治本）;3.2 热载流子效应;雪崩热载流子的产生和注入;热载流子的研究方法——电荷泵技术（CP）;热载流子的研究方法——电荷泵技术;影响因素及改进措施;3.3 栅氧击穿;非本征击穿;非本征击穿;栅氧化层击穿;击穿机理与改进措施 ;3.4 电迁移;铝线电迁移开路;失效模式及防止措施;铝膜再构应力迁移;3.5 与铝有关的界面效应;铝与硅;金与铝;3.6 热电效应;二次击穿;补充材料：热击穿电击穿;PN结击穿;1、电击穿;（1）雪崩击穿;（2）齐纳击穿;特殊情况;2、热击穿;二次击穿;本次课完