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Chapter 6 p-n Junctions（p-n结） 扩 散 5.2 Equilibrium p-n Junction (3)热击穿 6. p-n结中的隧道效应 7. p-n结的光生伏特效应 势垒区两侧边界上的少数载流子被强电场扫过势垒区。使边界处的少子浓度低于体内。产生了少子的扩散运动，形成了反向扩散电流。 类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度 式中，Js不随反向电压变化，称为反向饱和电流密度；负号表示反向电流方向与正向电流方向相反。 Jr与反向电压Vr无关，是因为当反向电压V的绝对值足够大时，边界上的少子浓度为零。 p-n结的正向和反向电流密度公式可统一用下列公式表示： 正向：V= Vf 反向：V= -Vr p-n结的伏-安特性 （3）I-V characteristic of a p-n junction 单向导电性---整流 Ge、Si、GaAs：0.3、 0.7、1V 温度影响大 单边突变结 I-V特性由轻掺杂一边决定。 影响p-n结伏-安特性的主要因素： 产生偏差的原因： （1）正向小电压时忽略了势垒区的复合；正向大电压时忽略了外加电压在扩散区和体电阻上的压降。 （2）在反向偏置时忽略了势垒区的产生电流。 空间电荷区的复合电流 空间电荷区的产生电流 注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布