稀土掺杂锰氧化物庞电阻效应.PDFVIP

第 25 卷 　第 1 期 物 　理 　学 　进 　展 Vol . 25 ,No . 1 　2005 年 3 月 PRO GR ESS IN PH YSICS Mar . ,2005 文章编号 (2005) 0 1008249 稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应 刘俊明 , 王克锋 (南京大学物理系 , 固体微结构物理国家实验室 ,南京 2 10093) 摘 　要 : 　过去十多年来 ,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究 的重要领域 。锰氧化物的载流子 自旋极化率高 ,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效 应 ,因此在 自旋电子学中有潜在的应用前景 。另一方面 ,锰氧化物是典型的强关联电子体系 , 它对 目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战 。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物 理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构 ,简单介绍了其他一 些庞磁电阻材料 ;随后综述了锰氧化物的电荷/ 轨道有序相及其输运性质 ;在第四部分简单介 绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制 ;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用 ,如低场磁电 阻效应 、磁隧道结 、磁 p- n 结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等 。 关键词 : 　庞磁电阻效应 ;稀土掺杂锰氧化物 ;强关联电子系统 O482 . 5 　　　　　　　 中图分类号 : 文献标识码 :A 0 　引言 物理学尤其是凝聚态物理学的基础研究 ,常常会对应用物理和高科技产业产生重要 影响 。正如半导体锗中晶体管效应在 1947 年由Bell 实验室发现后迅速发展成固态电子 ( ) ( ) 产业一样 , 巨磁电阻效应 GMR 和隧道磁电阻效应 TMR 的发现也迅速导致 自旋电子 学兴起和自旋电子产业的发展 。虽然 GMR 和 TMR 在物理 、材料和器件方面已经取得很 ( 大成绩 ,但也有其不足之处 。其中材料的局限性比较突出: 电子的平均 自由程较短 一般 ) ( ) 为几十纳米 、自旋极化率较低 小于 50 % 。对 自旋极化率较低的问题 ,需要寻找具有较 ( 大自旋极化率 的新材料 。目前 , 研究人员关注一种称为 “半金属磁体 ”half- met allic magnet s) 的材料 。这种材料理想的电子状态是其费米能级处于一个 自旋子带中 ,而另一 个自旋子带刚好处于能隙处 ,所以处于费米面上的巡游电子只有一种自旋 , 自旋极化率为 100 % 。目前最具希望的材料有 NiMn Sb 、CrO2 和锰氧化物 L a0 . 7 Sr0 . 3 MnO3 等 ,其中钙钛 矿结构的锰氧化物因为具有接近 100 %的自旋极化率 ,而且在铁磁转变居里温度附近表 ( 6 ) 现出极大的磁电阻效应 几 T 的外加磁场下可达 10 %以上 而引起了广泛关注 。这一极 收稿 日期 : 20050 113 ( ) ( ) 基金项 目: 国家自然科学基金项 目,100 100 1 ; 国家 973 项 目 2002CB6 13303 本文通讯联系人