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半导体物理学 第八章 半导体表面与MIS结构;第八章 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and metal-insulator-semiconductor structure;§8.1 表面态;对于理想表面的问题求解，需要建立薛定谔方程，利用具体的边界条件对波函数加以求解。 对于硅表面态：表面最外层每个硅原子有一个未配对电子，有一个未饱和键，称为悬挂键，由于每平方厘米表面有1015个原子，相应悬挂键亦有1015个，这与实验测量值在量级上相符合。 ; 对于表面能级，和半导体内部杂质和缺陷能级相类似，也分为施主类型和受主类型，但对于其在禁带中的分布，目前还没有得出一致结论。 半导体表面态为施主态时，向导带提供电子后变成正电荷，表面带正电；若表面态为受主态，表面带负电。 表面附近可动电荷会重新分布，形成空间电荷区和表面势（Vs），而使表面层中的能带发生变化。 ;§8.2 表面电???效应 Effect of Surface Electric;;;1、 理想MIS系统定性分析 （以P类型为例） - 静电平衡、堆积、耗尽、反型;;;;;在表面处 低于半导体 内部值;（4）少数载流子反型状态;;金属与半导体间加负压， 多子堆积。;（6）n型半导体的堆积、耗尽、反型;2、理想MIS结构的定量分析 - 表面空间电荷层的电场、电势及电容;由以上方程得到;令，;（2）表面电荷分布Qs; 多数载流子堆积状态（Vs 0，Qs 0）; 平带状态（Vs = 0）; 耗尽状态（Vs 0，Qs 0）; 反型状态（强反型、弱反型）;从耗尽到临界强反型状态，空间电荷区电场、电势和电容均可以通过耗尽层近似求得; ① 临界强反型时，Vs = 2VB; ② 强反型时，Vs 2VB; p类型MIS结构总结： VG 0 : 多数载流子堆积状态, φs 0 能带上弯 VG = 0 : 平带, φs = 0 能带不弯曲 0 VG VT : 耗尽 , 2φF φs 0 能带下弯 0 VG VT : 弱反型 , φF φs 2φF 能带下弯 VG = VT : 强反型开始, φs = 2φF 能带下弯 VG VT : 强反型 , φs 2φF 能带下弯 ;（5）关于空间电荷层的讨论;§8.3 MIS结构的电容-电压特性 C-V characteristics of MIS structure; 归一化电容:; 平带状态（Vs = 0，Qs 0）; 强反型后（Vs 0）; 强反型后（Vs 0）;MIS结构的电容-电压曲线;思 考 题 ;（2）金属与半导体功函数差对MIS结构C-V特性的影响;（3）绝缘层中电荷对MIS结构C-V特性的影响;谢 谢！