纳米晶CoNiFe软磁薄膜的电化学制备及其结构、性能的分析研究.pdfVIP

摘要 软磁材料已经被广泛地应用于磁数据存储(如硬盘驱动器(HDD))、微电 子机械系统的发动机以及其它的磁感应器。目前，制备软磁薄膜的方法有许多 种，其中，电化学方法由于在工业生产中可以很好地调控镀层的组成、结构及 性能并形成高比表面积的薄膜，而成为最具发展前景的技术之一。CoNiFe软磁 薄膜具有较高饱和磁感强度眈和较低的矫顽力风，必将在微电子机械系统的应 用中成为其它软磁材料的最有力的竞争者。 在本论文中，我们拟采用循环伏安法(CV)制备兼具优良软磁性能(包括 高风和低阢)和耐蚀性能的纳米晶CoNiFe软磁薄膜，并进一步探究其电沉积机 理，特别是其初始“成核／生长”机制。该研究不仅具有广阔的应用前景，而且具 有重要的理论价值! 论文首先研究了电沉积的主要工艺参数对CoNiFe合金镀层的影响，主要包 括从以下几个因素：主要金属离子的浓度、CV的电位范围、pH值等。最终优 化出一套稳定、可靠的工艺。然后，对在优化的条件下制备的纳米晶CoNiFe软 磁薄膜的微观形貌、组成、晶体结构、软磁性能和耐蚀性分别采用SEM、EDS、 软磁薄膜有非常精细、致密的纳米粒子组成，粒径平均约为50nm，同时，镀层 兼具优良的软磁性能(饱和磁感强度高达2．03T，矫顽力为10．70e)和耐蚀性 能。 其次，我们采用循环伏安(CV)、计时安培(CHR)和电化学阻抗谱(EIS) 等电化学技术探讨了纳米晶CoNiFe软磁薄膜在黄铜基底上电沉积的动力学过程 及其成核机理。结果表明：CoNiFe合金薄膜在较低电位下遵循三维(3D)连续 成核／生长机制；在较高的电位下遵循3D瞬时成核／生长机制。外加电位越大， 电沉积过程的电荷转移电阻越小、晶核的形成速率越大，从而在一定程度上细 化了镀层的晶粒。 最后，为了进一步优化CoNiFe软磁材料的软磁性能和耐蚀性能，我们在原 V 来的镀液中加入含硼、含磷添加剂后电沉积制备纳米晶CoNiFe合金薄膜。研究 发现：两种添加剂都改变了镀层的晶体结构。加入含B添加剂后镀层的综合软 磁性能(风为1．94T，风为7．60e)和耐蚀性都在一定程度上有所提高，即含硼 添加剂对纳米晶CoNiFe软磁薄膜的性能有一定的优化作用。另一方面，加入含P 添加剂后，镀层的磁性(毋为1．25T，肌为156．90e)和耐蚀性都变差，镀层中P 的夹杂没有起到优化CoNiFe软磁薄膜的作用。 关键词：软磁材料；纳米晶；CoNiFe薄膜；电沉积：循环伏安 VI ABSTRACT Soft materialshavebeen usedintheareasof data magnetic widely magnetic asharddisk storagedevices(such drives(HDD))，magnetic—MEMSactuators，and other to methodshavebeen to magnetic date，various sensingdevices．Up employed soft thin methodisoneofthe preparemagnetic them,the films．Amongelectroplating most inindustriallevelbecauseofits to‘‘tailor’ promisingtechnologies ability structureand andtoforma film．A deposit propertie