电子束蒸发制备MO3薄膜及其电致变色特性.pdfVIP

维普资讯 第 16卷第3期 光 电 子 技 术 VoI-l6No．3 1996年 9月 OPTOELECTRONIC TECHNOL0GY Sept．1996 电子束蒸发制备 MoO。薄膜及其电致变色特性 ‘垦垦嗑 黄汉尧 何华辉 a a| (华中理工大学固体 电子学系-武汉 430074) l096年 7月 s 日收到 ≠A 摘要在三种条件下采用电子柬蒸发方法制备钼氧化物薄膜 。 从烧结靶淀积 出的薄膜为多晶状态；从粉末压结靶淀考{出非晶态薄膜 。在 LiCIO一PC 电解质中测试 各种 薄膜 的循环伏安特性和 阶跃 电压 下的电流响应和光透射响应，表 明2．5×10叫 Pa氧分压下压结靶淀积的薄膜具有较好的电色性能 XPS分析诙种薄膜为MoO 组 份 ，Li注入使 M 和 O 的结合能降低 。 关键词 电子柬蒸发 钼氧化物薄膜 引言 丁^『哗、J 在 已知的电色材料中．大量工作针对氧化钨 ，而对氧化钼 电变色膜的研究较少。除了在 电变色方面被研究 ．氧化钼薄膜的光变色效应也得到研究。 。本文报道电子束蒸发方 法制备氧化钼薄膜，对其进行了电色性研究和 XRD、XPS分析 结果表 明，该种簿膜可能具 有实用性 。 2 实验 2．1 薄膜制备 三氧化钼粉末 (上海 中国胶化工厂，99．5 )经研磨后压制成直径 1cm、厚 0．6～O．8 cm 的园柱 。蒸发靶分为两种，一种经高温烧结处理 ，升温速率 3Cfmin，烧结温度 1000℃，恒 温时间3h；另一种则不经烧结。蒸发靶置于石墨坩埚中。薄膜衬底为带有透明导电膜 ITO 玻璃 ，1TO方阻为 200n／口。衬底经清洗 。蒸发室底真空 l×lO Pa。蒸发选三种环境：(1) 烧结靶在 1×10 Pa底真空开始蒸发 ，(2)通入 4×10 Pa高纯氧气，蒸发压结靶 ，(3)通入 2．5×10：-。Pa氧 ．蒸发压结靶 。三种环境下制备的薄膜样品分别记为样品 l、2、3，在测试 中 使用上述编号。蒸发过程如下。加上 1000V 电子束枪聚焦加速 电压，随后缓慢加上钨灯丝 电子发射 电压至 电子束流 1～2mA指示 ．在此束流下保持半分钟左右，靶上开始有烧蚀坑 并有微弱蓝光发出 ，此时电子束流迅速增大，立即减小灯丝 电压使束流保持在 5mA。靶 的 蒸发速率很大 ．5mA束流下 ，平均蒸发速率大约 5ilm ·s 。我们控制蒸发时间使薄膜的厚 · 现在 I作单位 t邮 电部武汉 邮电科学院固体器件所 ，武汉 430074 维普资讯 第 3期 吴正华等t电子束蒸发制备 MoO 薄膜及其 电致变色特性 215 H 等在氧化物薄膜中可逆地注入／抽 j 一、 烯墨工碳作酸电酯极PP，(ct)片无为水对电解电质极构。成电变电色解膜池为。jj{z．一-一／；r一—一‘ 极。在电解池上建立透射光检测系统，光 。 了—— ———7 —— 流信号 ，光信号由A／D转换采样进入徽 图l 氧化钼薄膜电色电极在lm