第四章 晶体中及点缺陷和面缺陷.ppt

* 若锌的离子化程度不足，可以有： 或： （认为[e′] = [Zni· ] ） 过剩锌的浓度[Zn ]与锌蒸汽分压的关系为： [Zn ]∝PZn1/2 究竟属于什么样的缺陷模型，要通过 实验确定。 实验：在650℃下测定Zn1+xO的 电导率σ和氧气分压PO2的关系如图。 * 3．由于存在间隙负离子，使负离子过剩。 这种缺陷的结构如图所示。可以看作U2O5在UO2中的固溶体。当晶格中存在间隙负离子时，为了保持电中性，结构中引入电子空穴，相应的正离子升价。电子空穴也不是固定的，在电场的作用下会发生迁移（P型半导体）。 形成UO2+x的缺陷反应可表示为： 平衡时： (认为 [h·] =2[Oi″]) 则有：[Oi″] ∝PO21/6 即随着 氧气压力的提高，间隙氧的浓 度增大。 * 4．由于正离子空位的存在，使负离子过剩。 如图所示。 由于存在正离子空位VM（带负电），为了保持电中性，在正离子空位周围捕获电子空穴（h· ）。Cu1-xO和Fe1-xO就属于这种类型的缺陷（P型半导体）。 Fe1-xO可以看作Fe2O3在FeO中形成固溶体，为了保持电中性，三个Fe2+铁离子被二个Fe3+和一个空位 所代替，可写成为(Fe1-xFe2/3x)O或 Fe2VFeO3，来代替Fe3O3。 其缺陷反应式为： * 其缺陷反应式为： 或： 平衡时： （认为 [h·] = 2[VFe″]，[OO]保持不变） 则有：[h· ] ∝PO21/6 即随着氧气压力的提高，电子空穴的浓度增大，电导率也随着增大。 * ※ 由上述讨论可看到： ①非化学计量缺陷的浓度与气氛的性质和气体压力的大小有关； ②缺陷浓度还与温度有关，从平衡常数与温度的关系中可反映出来。 ※ 非化学计量化合物的特点： ①形成非化学计量化合物时，必定伴有位置缺陷产生； ②非化学计量化合物的形成，导致物质的导电性增大（产生e′或h·）； ③非化学计量化合物可被看作是金属离子的高价与低价氧化物之间形成的固溶体。； ④非化学计量化合物与不等价置换固溶体是类似的“组分缺陷”，前者为同种离子的高价态与低价态之间的置换，而后者一般为不同离子之间的置换。 * 4.6 晶体中的线缺陷——位错 ——当晶格周期性的破坏是发生在晶体内部一条线的周围邻近，称为线缺陷（或位错）。 在这条线的附近，由于外界因素（结晶时受到杂质、温度变化或振动产生的应力，或晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力）的作用，原子的排列 偏离了严格的周期性，在产生位错的区 域，原子间距出现疏密不均匀现象（图示）。 ※ 典型的位错有两种： 刃型位错和螺位错。 b 一般认为位错的产生，是由于晶面滑移造成的。质点的滑移面和未滑移面的交界线就是位错线EF（图示）。 * 1．刃型位错（棱位错） ——位错线与滑移方向（柏格斯矢量b）垂直，即b⊥EF。 ※ 刃型位错有正负之分：当晶体的上半部向右滑移，多余的半个原子面自左向右推移时，相应的位错为正刃型位错，用符号“⊥”表示； 当晶体的下半部向左滑移，多余的半个原子面自右向左推移时，称为负刃型位错，用符号“ T ” 表示。 当正负一对刃位错在同一滑移面上相遇时，将相互抵消（如图2-52）。 正负位错相互抵消 b * ※ 刃型位错的形成：设想将一块材料沿ABEF面切开到EF为止（图2-51上），把上部分向右推，A’B’原来和AB重合，推压后，相对于AB滑移一个原子间距b，这里A’F和B’E分别同AF和BE重合。 b ABEF是滑移面，EF是滑移部分和未滑移部分的界线，即位错线。显然位错线EF和柏格斯矢量b垂直。 b * 2．螺位错 ——位错线与滑移方向（柏格斯矢量b）平行，即b∥AD，用符号“ ”表示。 螺位错的产生，使原来一族平行晶面变成象以单个晶面所组成的螺旋阶梯。设想将一块材料沿ABCD面切开到AD为止（图2-53上），将上下两部分沿AD方向滑移一个原子间距b，使垂直于AD的晶面都看成是由一个晶面以螺旋阶梯的形式而构成的，显然位错线AD与柏格斯矢量b平行。 滑移面左右两侧的质点排列 * 实际晶体中，很可能同时产生刃位错和螺位错，如图2-54所示。其滑移部分和未滑移部分的边界是一条曲线；在图中位错线与晶面