镍金属诱发非晶矽薄膜侧向结晶-国立交通大学机构典藏.PDF

鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶 －成長機制、金屬捉聚與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究 學生:胡晟民 指導教授:吳耀銓 博士 國立交通大學材料科學與工程研究所 摘要 在本論文中，主要的研究是鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶。其中， 探討快速熱退火技術對於鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶成長機制之影響 以及探討氮化矽薄膜對於鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶成長機制並製作 低溫複晶矽薄膜電晶體。此外，為了解決對於鎳金屬誘發複晶矽薄膜來說， 非常重要的鎳金屬殘留問題，因而發展出有效的吸鎳方法來降低鎳金屬誘 發複晶矽薄膜中的鎳金屬殘留，論文中 提出兩種有效的鎳金屬捉聚方式。 首先，我們探討了以 RTA 與 CFA這兩種不同的退火方式成長的 NILC 複晶矽的成長機制、微結構以及所製成的薄膜電晶體的傳導特性。 在 成長速率方面以 RTA 方式成長的NILC 其速率為 CFA 成長的 5倍，原因可 能來至於光催化與熱應力效應導致 NILC 成長時活化能被降低。而到達飽和 時間與飽和長度 RTA試片則明顯的降低，原因可能則來至於 RTA 過程中 複晶矽的固相結晶的活化能較低而較容易形成固相結晶，這使得以 RTA 方 式成長的 NILC 提早達到飽和長度。由於 RTA試片的 NILC複晶矽較小而 造成晶界變多以及 NILC複晶矽區域有固相結晶的產生使得 RTA-TFT 元件 的特性較 CFA-TFT 元件特性來的差。 我們發現當覆蓋在非晶矽上的氮化矽薄膜愈厚時則 NILC的飽和長度 愈長，這是由於固相結晶被抑制所致。藉由 SEM的觀察我們證實了氮化矽 薄膜確實能抑制固相結晶形成。在薄膜應力的分析上，證實氮化矽薄膜抑 制固相結晶的應力來源應該是來自於大量氫原子脫離而對非晶矽造成壓應 力。薄膜電晶體的電性表現上，不同薄膜與厚度所製作的 TFT 元件之間並 無太大的差異這是由於覆蓋的氮化矽與氧化矽薄膜在 NILC的成長過程中 並不會影響 NILC 結晶的結構。 I 在本論文提出兩種捉聚方式。第一種為利用晶圓鍍覆非晶矽的方式作 為捉聚基板，將捉聚基板與複晶矽薄膜接合退火，我們成功的把複晶矽中 殘餘鎳捕捉至捉聚基板中。可以發現到捉聚後聚集在晶界的NiSi蝕刻孔洞 2 明顯減少，而由 SIMS所偵測到的鎳濃度也降低為捉聚前的 1/30 。捉聚前後 的複晶矽薄膜製做 NILC TFT 與 GETR TFT 兩組元件，從電性上經過捉聚 後的 GETR TFT因為鎳雜質的減少，漏電流進而降低的 34倍，開關電流比 提高了近 9倍。 第二種捉聚方式，是藉由濃度梯度的 擴散使得複晶矽中殘餘鎳能成功 的透過接觸窗捕捉至上層捉聚層。可以發現上層非晶矽由於鎳金屬的擴散 而成長出NILC複晶矽。並且發現到捉聚後聚集在晶界的 NiSi蝕刻孔洞也 2 明顯減少。將捉聚前後的複晶矽薄膜製做 NILC TFT 與 GETR TFT 兩組元 件，從電性上經過捉聚後的 GETR TFT因為鎳雜質的減少，而使得電性獲 得提升，其中包括電子遷移率 、次臨界斜率、以及開關電流比。 II Ni-Metal Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon － Growth Mechanism, Metal Gettering and LTPS TFTs