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國立基隆商工　e2-2 班級：　　　　　座號：　　　　　姓名：　　　　　命題老師：王慶源 一、選擇題（每題1.21分，共49.61分）： 1.【 B 】 下列關於價電子與自由電子的敘述，何者錯誤？(A)價電子位於原子核最外層軌道　(B)價電子成為自由電子會釋放熱能　(C)自由電子位於傳導帶　(D)價電子脫離原來的軌道所留下的空缺，稱為電洞　 解析：價電子吸收能量且大於其能隙時，即可脫離共價鍵形成自由電子。 2.【 C 】 電子伏特(eV：electronvolt)是下列哪一種單位？(A)電壓　(B)電流　(C)能量　(D)電量　 3.【 D 】 在純砷化鎵(GaAs)晶體中，欲使電子由共價鍵釋放出來，至少需要約多少能量？(A)0.45eV　(B)0.66eV　(C)1.12eV　(D)1.42eV　 4.【 D 】 下列哪一個元素非為半導體材料？(A)矽　(B)鍺　(C)砷化鎵　(D)鋰　 5.【 C 】 下列何者為三價半導體元素？(A)矽　(B)磷　(C)鎵　(D)砷　 6.【 A 】 在N型半導體中，其多數載子(majority carrier)為？(A)電子　(B)電洞　(C)原子　(D)分子　 7.【 B 】 下列敘述何者不正確？(A)矽(Si)及鍺(Ge)皆是本質半導體(intrinsic semiconductor)　(B)將磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此半導體變為P型外質半導體(extrinsic semiconductor)　(C)在P型半導體中之多數載子(majority carrier)為電洞　(D)在摻有銻(Sb)的半導體中，Sb扮演的角色是施體(donor)　 解析：將磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此半導體變為N型外質半導體。 8.【 B 】 一純矽半導體，本質濃度ni = 1.5×1010/cm3，原子密度為5×1022/cm3，若於每109個矽原子摻入1個施體(donor)雜質，則其電洞濃度為多少？(A)4.5×105/cm3　(B)4.5×106/cm3　(C)4.5×107/cm3　(D)4.5×108/cm3　 解析：電子濃度 電洞濃度 。 9.【 C 】 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多數載子為何？此塊半導體之電性為何？(A)N型半導體；電子；電中性　(B)N型半導體；電子；負電　(C)P型半導體；電洞；電中性　(D)P型半導體；電洞；正電　 10.【 A 】 下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確？(A)矽二極體可承受的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體　(B)矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體　(C)矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體　(D)矽二極體的反向飽和電流高於鍺二極體　 11.【 A 】 二極體的順向導通電流方程式為？(A)　(B)　(C)ID = IS　(D)ID = 0　 12.【 D 】 砷化鎵二極體其切入電壓(又稱障壁電壓)約為？(A)0V　(B)0.2V　(C)0.6V　(D)1.1V　 13.【 D 】 PN二極體產生障壁電壓(barrier potential)的原因，下列何者正確？(A)P型半導體自然產生　(B)N型半導體自然產生　(C)加偏壓後自然產生　(D)PN結合時自然產生　 14.【 B 】 已知在室溫下時，二極體導通電流ID＝1mA，電壓VD＝0.6V，則二極體的動態電阻rd為？(A)2.5Ω　(B)25Ω　(C)60Ω　(D)600Ω　 解析： 。 15.【 C 】 下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高　(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄　(C)溫度上升時，障壁電壓上升　(D)溫度上升時，漏電流上升　 解析：溫度上升時，矽二極體的障壁電壓下降約為?1mV/°C~?2.5mV/°C。 16.【 A 】 如圖所示 ，有一個PN接面的二極體，試問在N型半導體接面附近的總電荷極性為？(A)正的　(B)負的　(C)中性的　(D)不能決定　 17.【 C 】 有一矽二極體，在25°C時的逆向飽和電流為2nA，當溫度升高至65°C時，逆向飽和電流將為？(A)8nA　(B)16nA　(C)32nA　(D)64nA　 解析： 。 18.【 C 】 如圖 所示電路，試判斷二極體D1及D2之導通狀態？(A)D1 ON，D2 ON　(B)D1ON，D2 OFF　(C)D1OFF，D2 ON　(D)D1OFF，D2 OFF　 解析：因D2二極體之N端接至?10V，故一定比N端接至0V的D1二極體先導通，此時 小於0V，所示D1二極體無法導通。 19.【 C 】 如圖所示 ，設D1、D2為理想二極體，試求Vo＝？(A)1V　(B)2V　(C)3V