不断提高功率密度,保行业领先地位.PDFVIP

不断提高功率密度，保持行业领先地位 英飞凌推出40V和60V的新一代MOSFET 2012 年3 月 英飞凌科技股份有限公司 低压驱动应用工程师Ralf Walter 2012 年，电子器件一如既往地沿着更高性能和更高功率密度的方向发展。取决于具体 的应用，要么侧重于封装的微型化，要么侧重于提高通流能力，从而在不改变封装体 积的情况下提高输出功率。 另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件 （比如TO220、TO247）。 阻断电压为40V 和 60V 的最新一代英飞凌 MOSFET，如今可满足设计工程师的这些 要求。 英飞凌几年前开发的OptiMOS™3 技术相对于现有的其他MOSFET 技术，可使通态电 阻RDS(on) 大幅降低60% 。另外还可大幅降低CGS （栅极至源极）和CGD （栅极至漏 极）电容。这可使开关速度加快，从而大幅降低开关损耗。 尽管在这项技术成功开发之前，许多应用仍将需要采用 TO220 、甚至 TO247 的插件 封装，但如今也有可能免去采用昂贵而复杂的散热系统。 相反，如今有可能采用不带额外散热器的D2PAK 和SuperSO8 （5 毫米x 6 毫米）等 贴片封装，从而大幅简化热管理。 因此，可以提高开关电源的功率密度，同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新 30V 硅技术产品之后，英飞凌成功完成了全新 40V 和60V MOSFET 的开发工作。 与OptiMOS™3 技术直接比较，结果表明，新一代MOSFET 不仅可极大地降低通态电 阻RDS(on)，还可大幅改进开关特性。 阻断电压为 40V 的 MOSFET 的通态电阻降低了 40% ，而阻断电压为 60V 的 MOSFET 的通态电阻降幅甚至达到48% 以上。 迄今为止，英飞凌是全球首家推出采用 SuperSO8 封装、最大通态电阻不足 1 毫欧的 40V MOSFET 的半导体厂商。 此外，集成一个类似肖特基的二极管可提高系统能效，并降低尖峰电压。它采用的是 一种单片集成式单元结构，相比常规 MOSFET 体二极管而言，在很宽的负载范围内具 备多种关键优势。一方面，新一代 MOSFET 的通态电压大幅降低（例如，在 10A 二 极管电流下，通态电压为0.45V，而不是0.65V。）；另一方面，由于没有需要充电的 体二极管，反向恢复电荷（Q ）可以忽略不计。 rr 新型号可通过最后一个字母“I”识别（例如BSC010N04LSI）。 图1：英飞凌新一代MOSFET 具有更低的导通电阻RDS(on) 导通电阻是MOSFET 最重要的参数之一，但其他参数通常具备同等重要性，有时对于 设计工程师而言甚至更为重要。 以下几个参数实际上反映开关损耗： 品质因素—栅极电荷（FOM Q ）表示进行正常开关时 MOSFET 栅极需要的电荷（能 g 量），而品质因素—输出电容（FOM Qoss ）表示非谐振开关时损失的能量。 图2 显示的是40V MOSFET 和60V MOSFET 的栅极电荷和输出电容 图2 ：FOM Qg 和 FOM Qoss 等参数的改进，对于降低阻断电压为40V 和60V 的 全新OptiMOS™ 器件的开关损耗十分重要 可以很清楚地看到，全新的 OptiMOS™ 40V 和 60V 器件的所有三个参数（即 RDS(on)、FOM Qg 和FOM Qoss ）都大幅降低。 60V MOSFET 的降幅尤为明显，其中包含封装电阻在内的总通态电阻几乎减半。 英飞凌推出了多个型号的40V 和60V MOSFET 器件 （图3），使设计工程师能够轻松 地找到最理想的应用解决方案。 图 3 ： 40V 和 60V 产 品 组 合 实用性 下文以典型服务器电源二次侧整流电路为例，说明这三个参数实现改进之所以如此重 要的原因。 不过，下文提及的价值和优势还可轻松的适用于其他应用。对于所有需要使用体内肖 特基二极管的应用来说，采用英飞凌新一代 40V ，60V MOSFET 可大幅简化热管理， 从而节省成本。 一个典型的服务器电源的输出电压为 12V