表面光电压测量型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的.PDF

　第 20 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 3　 V o l N o 　1999 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 表面光电压测量 P 型硅抛光片少子 扩散长度及铁杂质含量的研究 屠海令　朱悟新　王　敬　周旗钢　张　椿　孙　燕 (北京有色金属研究总院　北京　100088) 摘要　 表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用. 本文简述了该 方法的测量原理, 给出了直径 125 硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据, 讨论 mm 了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响. : 7220 , 7240, 7280 , 6170 , 8170 PACC J C R C 1　引言 亚微米及深亚微米超大规模集成电路正遵循摩尔定律迅速发展, 同时也给半导体材料 研究及性能检测评价提出了更苛刻的要求和新的课题. 对于 05m 以下的深亚微米集成电 10 - 3 9 - 2 路, 厂家普遍提出硅片总的重金属杂质不得超过 10 mm , 表面金属污染应在 10 cm 数量 级. 为了使栅极氧化层完整性(GO I) 具有较高的质量, 对于 P 型硅抛光片, 表面铁杂质含量 应在 108cm - 2 数量级. 与此同时, 经过各道加工工艺后, 硅片应保持较高的少子寿命值. 为实 现上述要求, 半导体材料及相关领域的研究正广泛展开, 其中包括超净间级别提高、低污染 设备的制造、各种低杂质含量化学试剂的研制、标准机械接口系统(SM IF) 的使用, 特别是先 进的非接触检测方法和设备的研究开发给深亚微米集成电路用硅材料的研究生产提供了有 力的工具. 本文将介绍一种新的表面光电压( ) 法, 给出一些使用该方法研究 125 SPV mm 硅片中的研究结果, 并进一步讨论硅抛光片加工工艺与材料性能间的关系问题. 2　表面光电压法测量原理和仪器简介 表面光电压是一种非破坏性可全片扫描测量硅抛光片少数载流子扩散长度及表面铁杂 [ 1～ 6 ] 质含量的先进测量方法 . 该方法不但是研究硅材料性能的有力手段, 同时也进入了集成 电路和硅抛光片生产系统, 已成为必不可少的检测工具. 目前一种新的表面光电压法可测量 屠海令　男, 1946 年出生, 教授级高级工程师, 目前从事半导体材料生长和性能研究 收到,定稿 238 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报　 20 卷 ( ) 低注入线性表面光电压, 其原理图如图 1 所示 见图版 . 图 1 中, 、 为正面光照下正