FD-MR-II磁阻效应实验仪.doc

FD-MR-II 磁阻效应实验仪 说 明 书 上海复旦天欣科教仪器有限公司 中国 上海 FD-MR-II磁阻效应实验仪说明书 一、概述 磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中最典型的锑化铟（InSb）GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。 二、用途 1、用于测定通过电磁铁的电流Im和磁铁间隙中磁感应强度B的关系，观测GaAs霍耳元件的霍耳效应。 2、在不同磁感应强度区域，研究InSb磁阻元件的电阻值变化ΔR/R(0)与磁感应强度B的关系，求出经验公式。 3、外接信号发生器，可用于深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应），观测其特有的物理现象。 三、仪器组成及技术指示 仪器装置如下图所示： （一）仪器组成 1、固定及引线铜管； 2、U型矽钢片； 3、锑化铟（InSb）磁阻传感器； 4、砷化镓(GaAs)霍耳传感器； 5、电磁铁直流电流源显示； 6、磁铁直流电流源调节； 7、数字电压显示；　 8、锑化铟磁阻传感器电流调节； 9、电磁铁磁场强度大小显示； 10、电磁铁磁场强度大小调零；　 11、1和2是给锑化铟传感器提供小于3mA直流恒流电流源； 3和4是给砷化镓传感器提供电压源； 5和6是砷化镓传感器测量电磁铁间隙磁感应强度大 小；7为悬空； 12、单刀双向开关；13、单刀双向开关接线柱。 图为航空插头说明 （二）技术指标 1、双路直流电源： 直流电源Ⅰ：电流0－500ｍAII：输出电流0－3ｍA2V。 2、数字式毫特仪：测量范围0~0.5T，分辨率0.0001T，准确率为1%。 四、保养与维护 1、需将传感器固定在磁铁间隙中，不可弯折。 2、不要在实验仪附近放置具有磁性的物品。 3、不得外接传感器电源。 4、开机后需预热10分钟，再进行实验。 5、外接电阻应大于200欧姆。 以下实验讲义和实验数据由复旦大学物理实验教学中心提供。 锑化铟磁电阻传感器的测量及应用 一、实验目的 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。 二、实验原理 一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（B）-R（0），因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。 图1 磁阻效应 图2所示实验装置，用于测量磁电阻的电阻值R与磁感应强度B之间的关系。实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。 如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量ΔR/R（0）正比于B2，则磁阻传感器的电阻值R将随角频 率2ω作周期性变化。即在弱正弦波交流磁场中，磁阻传感器具有交流电倍频性能。若外界交流磁场的磁感应强度B为 B=B0COSωt （1） （1）式中，B0为磁感应强度的振幅，ω为角频率，t为时间。 设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB2 （2） （2）式中，K为常量。由（1）式和（2）式可得 R(B)=R(0)+ΔR=R(0)+R(0)×[ΔR/R(0)]