大规模集成电路第3章节 MOS集成电路器件基础.pptVIP

第三章 MOS集成电路器件基础 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号 3.2 MOS管的电流电压特性 3.3 MOS电容 3.4 MOS管的Spice模型参数 3.5 MOS管小信号等效电路 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号 3.1.1 NMOS管的简化结构 NMOS管的简化结构如图 3.1.2 N阱及PMOS 为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直于衬底的额外电流， 源区、 漏区以及沟道和衬底间必须形成反偏的PN结隔离， 因此， NMOS管的衬底B必须接到系统的最低电位点(例如“地”)， 而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最高电位点(例如正电源UDD)。 衬底的连接如图所示。 在互补型CMOS管中， 在同一衬底上制作NMOS管和PMOS管， 因此必须为PMOS管做一个称之为“阱(Well)”的“局部衬底” 。 3.1.3 MOS管符号 增强型MOS管的4种常用符号如图所示， 其中NMOS管的衬底B应接地， PMOS管的衬底B接UDD。 3.2 MOS管的电流电压特性 3.2.1 MOS管的转移特性 其中UTHN(UTHP)为开启电压， 或称阈值电压(Threshold Voltage)。 在半导体物理学中， NMOS的UTHN定义为界面反型层的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅极电压。 3.2.2 MOS管的输出特性 增强型NMOS管的输出特性如图 所示。 栅极电压超过阈值电压UTHN后， 开始出现电流且栅压uGS越大， 漏极电流也越大的现象， 体现了栅压对漏极电流有明显的控制作用。 漏极电压UDS对漏极电流ID的控制作用基本上分两段， 即线性区(Linear)和饱和区(Saturation)。 线性区和恒流区是以预夹断点的连线为分界线的(图中虚线所示)。 在栅压UGS一定的情况下， 随着UDS从小变大， 沟道将发生变化。 若UDS=UGS-UTH , 则沟道在漏区边界上被夹断， 因此该点电压称为预夹断电压。 在此点之前，即UDSUGS-UTH ，管子工作在线性区， 此时UDS增大， ID有明显的增大。 在预夹断点之后， 即 UDSUGS-UTH ，管子工作在恒流区， 此时UDS增大， 大部分电压降在夹断区， 对沟道电场影响不大， 因此电流增大很小。 饱和区I-V特性(0VGS-VTNVDS) 在亚微米以下，考虑沟道长度缩短 NMOS晶体管I-V特性－总结 截至区：VGS-VT≤0 线性区：0VDSVGS-VT 饱和区：0VGS-VT≤VDS PMOS在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程： UTHN、 UTHP——开启电压(阈值电压)。 假设UDD=5 V， 则增强型NMOS管： UTHN≈(0.14～0.18)UDD≈0.7 ～0.9 V 增强型PMOS管： UTHP≈-0.16|UDD|≈-0.8 V 耗尽型MOS管： UTH≈-0.8UDD≈-4 V λn、 λp——沟道调制系数， 即UDS对沟道长度的影响。 对NMOS 对于典型的0.5 μm工艺的MOS管， 忽略沟道调制效应， 其主要参数如表所示。 假定有一NMOS管， W=3 μm, L=2 μm, 在恒流区则有: 3.2.4 MOS管的输出电阻 1. 线性区的输出电阻 根据线性区的电流方程， 当UDS很小(UDS2(UGS-UTH))时， 可近似有 2. 恒流区的输出电阻 根据恒流区的电流方程 3.2.5 MOS管的跨导gm 恒流区的电流方程在忽略沟道调宽影响时为平方律方程， 即 可见， 在W/L不变的情况下， gm与(UGS-UTH)成线性关系， 与ID的平方根成正比； 在ID不变的情况下， gm与(UGS-UTH)成反比。 其变化曲线分别如图所示。 3.2.6 体效应与背栅跨导gmb 前面所有结论是在衬底与源极等电位的前提下得出来的， 但在集成电路中， 在同一硅片衬底上要做许多管子， 为保证它们正常工作， 一般N管的衬底要接到全电路的最低电位点, P管的衬底接到最高电位点UDD。 当UBS0 时， 沟道与衬底间的耗尽层加厚， 导致阈值电压UTH增大， 沟道变窄， 沟道电阻变大， iD减小， 人们将此称为“体效应”、 “背栅效应”或“衬底调制效应”。 考虑体效应后的阈值电压UTH为