强流氧离子注入机高温旋转扫描靶的.pdf

摘要 SOI(Silicon On Insulator)是指绝缘材料上的硅，它能突破体硅及其集成电路 的限制，在超大规模集成电路、光电子等领域有着广阔的应用前景。被国际上公 认为是“二十一世纪的硅集成电路技术”。其中 SIMOX （separation by implanted oxygen ，注氧隔离）就是重要的实际应用的 SOI 制备技术，这种技术的关键就 是需要用强流氧离子注入机将氧离子注入到晶片中形成二氧化硅作为绝缘层。用 于 SIMOX 的强流氧离子注入机需要保证大束流、高温、均匀、低污染注入。而 高温旋转扫描靶正是达到这种注入要求的关键部件之一。 本文以中国科技集团公司研制的大束流专用强流氧离子注入机的高温旋转扫 描靶为研究对象，结合参数化特征建模技术和虚拟样机技术，对高温旋转扫描靶 的建模和仿真做了探索性的研究。 本文在充分研究了高温旋转扫描靶的设计要求和理论（包括高真空环境下的 辅助加热装置的研究、批注入式全机械扫描和先进磁扫描技术的研究）以及参考 国外的高温靶之后，使用三维高端 CAD/CAM/CAE 软件 UG 建立高温旋转扫描 靶的三维实体模型，应用 UG/Motion 模块及机械系统运动学/ 动力学仿真分析软 件 ADAMS 建立高温靶的虚拟样机模型，并进行运动学仿真分析，根据仿真结 果和理论计算结果的比较和分析，验证了所建虚拟样机模型的正确性，得到高温 旋转扫描靶的运动规律，并找到实现均匀注入的速度曲线。 由于虚拟样机技术产生较晚，国际上目前只有在汽车、航空制造领域有较为 成熟的应用，在其它领域的应用比较少，特别是半导体设备方面。本文应用虚拟 样机技术来研究高温旋转扫描靶，取得了一定的成果，为今后将虚拟样机技术推 广到强流氧离子注入机其它关键部件乃至整机的研究奠定了基础。 关键词：强流氧离子注入机 ；SOI ；SIMOX ；高温旋转扫描靶 ；虚拟样机 ；仿 真 ；UG ；ADAMS I ABSTRACT SOI (Silicon On Insulator) technology exhibit great application potential in many areas such as ULSI and photoelectron devices as a breakthrough conventional bulk silicon technology. It is becoming as a mainstream chip-making technique and the new silicon-based integrated circuits technology in 21 century. The key to the practical use of SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) technology, an important SOI preparation technology, depends on how satisfactory performance we can obtain in high-current oxygen ion implanters which are used for implanting oxygen ions into Si to form a buried oxide layer. In ion implanters for SIMOX, requirement enabling high current ( ～100 mA), high temperature (～600 ℃), uniform, low contamination and low particle level implantation. The