【2017年整理】阴极电弧离子镀膜cathodicvacuumArcprocessing.doc

陰極電弧離子鍍膜 Cathodic Vacuum Arc Processing （ U.S. patent 3,793,179） 輔仁大學 物理系 凌國基老師 陰極電弧離子鍍膜 前言 1958年，Wore提出可以用Arc的方法來做鍍膜應用，一直到70年代初，才有4篇專利文章提出工業用的方法。 Arc deposition and apparatus, U.S. patent No 3, 625, 848(1971) Arc deposition and apparatus, U.S. patent No 3, 836, 415(1974) Apparatus for vacuum evaporation of metals Under the action of an electric Arc, U.S. patent No 3, 783, 231(1974) Apparatus for metal evaporation coating, U.S. patent No.3, 793, 179(1974) 到了70年代末期，USSR才有工業用途。 美國到了80年代中期，才有用Arc的方法在工具鋼上TiN，增加硬度，延長工具鋼的壽命。 Cathodic vacuum arc processing的主要優點： 高度離子化。 鍍膜速度快。 黏著度較佳。 Ti、N比例較佳，且較不會受N2分壓影響。(我們在鍍Ti、N時，最好是同一個比例上去，這個在電子中尤其難控制，陰極電弧離子鍍膜則是控制的特別好。 基板溫度可以較低。 主要的缺點為： 陰極電弧離子鍍膜（cathode arc processing）最大的缺點為是微粒的產生（macro-particles）。如圖一，大部份的macro-particles出現的角度約為10-20度。From the cathode plane。 因為鍍的速度太快，很難控制它的均勻度。 Cathodic Spot（Arc Spot） 圖一、不連續的陰極點示意圖 見圖一，圖中有陰極靶（Target at cathode potential）、陽極（Anode）、基板（Substrate），通過的大電流產生磁場（Magnetic field）。 電子因強電場的作用，使電子自陰極表面微突處發射激發靶上方之氣體離子化，陰極靶因為一個Arc spot高溫熔融濺射出電子（electrons）、原子與分子及微（macro-particles），。電子、原子與分子濺射的速度不同，來看電子的質量是最小的，所以速度是最快的。因此在陰極和陽極間會形成一個電區（positive space charge region） 部分離子通過電漿打基板部分折返撞擊陰極靶由於磁場的關係，會往左邊移動，形成另一個Arc spot。 如果沒有外加磁場作用，Arc spot會隨機散亂地在陰極靶表面移動，稱為Random Arc model。 備註： 中性粒子是由macro-particles與plasma作用，蒸發而得。高溫材料之ionization ratio最高。 Arc spot移動速度與不同的之氣體亦有關係。活性氣體移動的比較快，而且macro-particles的產生也較少。【範例一】圖二、這是1974年，俄國人在美國申請的專利。 圖二上面紅色虛線框起來的部份（1、2、3、4、5、6、7），整個是一個真空系統。8為冷卻系統，9是陰極靶（arget），10為evaporation surface），11、12為non-evaporation surface，整個Target為一lat disk。13為基板，放置在一虛構的球面14上，如此才能得到好的均勻度。而陰極的底部12和冷卻系統8要用焊接的方式接起來，因為它所需的電流大約是100A，也就是離子上去的速度是100A，可見其鍍膜速度非常的快。為了避免在鍍膜的過程中，Arc spot打在我們的上，損毀設備，因此陰極靶和之間需要一個溝，也就是圖二中的gap 22Target surface10溫度越低，Arc spot移動速度越快，微粒越少。陰極的底部12和冷卻系統8焊接起 圖中擋板21（shield此區一定要是。）的頂部24高度與evaporation surface10需同高。若24較高，則蒸鍍時，鍍料會跑到21；若蒸鍍時間較長，則gap22會被導通。若24較低，則陰極圓柱的表面11（cathode cylindrical surface）也會被鍍上去，如此原本的gap22也會被導通。左下角虛線框起來的部份（40），是大電流供應的部份。45為正電，正電分成兩條，一條是46往上延伸；一條是38往上，經過一個電阻39（目的是限制電流），再往上通過一條電線35，