精品微机原理第3章.pptVIP

3.3.3 只读存储器典型产品举例 1. Intel 2716 UVEPROM存储器 (1)24DIP． (2)容量：2 K×8位。 (3)地址线数：2×1024=211，有11条地址线(A0～A10)，其中： A4～A10 :7条输入，x译码产生128行选(27)； A0～A3 :4条输入，Y译码产生16个Y译码输出列选(24)，组成16×128矩阵。 (4)矩阵组成：128×128的存储矩阵，分成8个16×128矩阵(每个16×128矩阵表示一位的字数)。 图 3.17 2716 一位的结构框图 图 3.18 2716 的引脚排列 表 3.1 Intel 2716 的工作方式选择 * 第3章 半导体存储器 第3章 半导体存储器 3.1 概述 3.2 随机存取存储器RAM 3.3 只读存储器ROM 3.4 高速缓冲存储器Cache 难点和重点 3.1.1 存储器的分类 1)按存储器和CPU的关系分 (1)内存储器：存放机器正在处理及运行的指令和数据，其特点为存储容量一定、速度快、CPU可直接读／写。 (2)外存储器：存放当前用不着的数据和程序(一旦需要时，须先调入内存)，其特点为存储容量大、速度慢。例如，硬盘、软盘、磁带(盒)等组成的磁表面存储器即为外存储器。 3.1 概 述 2)半导体存储器按存储信息的功能，分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 MOS型存储器按信息存放方式又可分为静态RAM（简称SRAM)和动态RAM(简称DRAM)。 SRAM存储电路以双稳态触发器为基础，状态稳定，只要不掉电，信息不会丢失。其优点是不需要刷新，控制电路简单，但集成度较低，适用于不需要大存储容量的计算机系统。 DRAM存储单元以电容为基础，电路简单，集成度高，但也存在问题，即电容中的电荷由于漏电会逐渐丢失，因此DRAM需要定时刷新，它适用于大存储容量的计算机系统。 3.1.2 内存储器的性能指标 1. 存储容量 用字数?位数表示，以位为单位。 单片存储容量为M×N，其中： M：表示芯片中所有可寻址的单元数，它决定了该器件的地址引脚位数。例如，2 K×8位2716的地址线是11位(211=2048=2 K)。 N：表示每个可寻址单元的存储位数(即存储“位”信息)，它决定了该器件的数据引脚位数。例如，对于16 K×1位(2118)(16 K字节的同一位)，若由2118组成16K字节容量的存储器，则需8片2118 2. 最大存取时间 内存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始， 到它取出或存入数码为止所需的时间叫作存取时间。 3. 功耗 “维持功耗”:存储器不进行读／写操作时的功耗，该功耗一般很小。 “操作功耗”:存储器进行读／写操作时的功耗。 4. 可靠性 抗干扰(温度、电磁场)的能力，一般无故障平均为几千小时以上 5. 集成度 所谓集成度是指在一片数平方毫米的芯片上能集成多少个基本存储电路， 每个基本存储电路存储一个二进制位， 所以集成度常表示为位/片。目前典型产品的集成度有 1 兆位/片、 16 兆位/片、 64 兆位/片等。 3.2.1 基本结构及组成 图 3.1 随机存取存储器的结构框图 3.2 随机存取存储器RAM 读/写控制 芯片开放 输出开放 1. 存储矩阵 也叫存储体，是存储器中存储信息的部分，由大量的基本存储电路组成。每个基本存储电路存放一位二进制信息，这些基本存储电路有规则地组织起来(一般为矩阵结构) 存储体中，可以由N个基本存储电路构成一个并行存取N位二进制代码的存储单元(N的取值一般为1、4、8等)。为了便于信息的存取，给同一存储体内的每个存储单元赋予一个惟一的编号，该编号就是存储单元的地址。这样，对于容量为2n个存储单元的存储体，需要n条地址线对其编址，若每个单元存放N位信息，则需要N条数据线传送数据，芯片的存储容量就可以表示为2n?N位。 2. 地址译码器 　　存储芯片中的地址译码电路对CPU从地址总线发来的n位地址信号进行译码，经译码产生的选择信号可以惟一地选中片内某一存储单元，在读/写控制电路的控制下可对该单元进行读/写操作。 3. 存储器控制电路 存储器控制电路接收来自CPU或外部电路的控制信号，经过组合变换后，对存储矩阵、 地址译码