【2017年整理】温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．5(2014) 057301 温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱 电子态结构的影响 杨双波十 (南京师范大学物理科学与技术学院，南京 210023) (2013年9月4日收到；2013年 11月22日收到修改稿) 本文在有效质量近似下，通过 自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=273K，磁感应强度 B=25T，Si均匀掺杂的GaAs／A1GaAs量子阱系统的电子态结构．研究了温度与外磁场对子带能量，本征包 络函数，自洽势，电子密度分布，及费米能量的影响．发现在给定磁感应强度B≠0下，随温度升高子带能量单 调增加，费米能量单调递减，自洽势的势阱变深变陡，电子密度分布变宽，峰值降低；在给定温度下，随磁感应 强度的增加子带能量及费米能量单调递增，自洽势阱变浅变宽，电子密度分布变窄，峰值升高． 关键词：掺杂，量子阱，磁场，电子态结构 PACS：73．21．Fg DOI：10．7498／aps．63．057301 的能谱将发生相当大的变化．这个事实直接影响该 1 引 言 结构的电子学的和光学的性质． 在最近 的工作 [27j中，我们通过 自洽地求解薛 低维半导体结构包括半导体异质结 [1j2】，超 晶 定鄂方程与泊松方程 的方法研究了在温度T=0， 格 量子阱[4]1量子线 5【]1量子点[。】等，它们的物 有效质量近似下，si均匀掺杂的GaAs／A1GaAs量 理性质 已经得到了广泛的研究．特别是半导体量子 子阱系统的电子态结构，研究了掺杂浓度及掺杂 阱中导带 内子带问的跃迁从物理上及新器件应用 层厚度对量子阱电子态结构的影响．由于在计算 上研究的最多．人们提出了若干基于量子阱子带 中取温度T=0的缘故，结果应是近似的，与温度 间跃迁的器件应用的研究计划，并取得了可喜的成 T 0的实际情况有所不同．本文对Si均匀掺杂 果，如远红外光一电探测器 电光调制器 Is]，光开 的GaAs量子阱系统在给定量子阱宽及掺杂条件 关 [9]．红外激光器[1Ol等． 下通过 自洽地求解薛定鄂方程与泊松方程的方法 半导体的掺杂 是改变半导体性能的重要 研究了温度与外加磁场 的加入和变化对 电子态结 手段，可通过半导体的掺杂有控制地改变半导体 中自由载流子的密度．因此根据需要选择掺杂材 构的影响．发现在给定磁场B ≠0下 随温度的升 料 [12--15】，及掺杂方式 [16--19]直接改变半导体本身 高，本征能量上升，费米能量下降，自洽势阱变深 的性质．如在 电学 方面因掺杂增大了载流子的 变陡，电子密度峰值下降，分布变宽．在给定温度 密度而改善导电性能，在光学 方面因掺杂使得 T=0下，随磁场强度增强，本征能量和费米能量上 电子在子带的布居增大了，因而改变光吸收即改善 升，自洽势阱变浅，电子密度峰值