【2017年整理】静电浪涌吸收元件.pdfVIP

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　电子科技导报　　 ·新技术·新元件· 静 电 浪 涌 吸 收 元 件 ——片式多层压敏电阻器 ( ) 庄　严　 电子工业部第七研究所 [摘要]　片式多层压敏电阻器是一种新型的瞬变浪涌吸收元件, 特别对于静电放电(ESD ) , 它比普 通压敏电阻器、齐纳二极管更为有效, 已成为低压 IC 和其它静电敏感元件首选的保护元件。 关键词: 瞬变浪涌　静电放电　片式多层元件、压敏电阻器 件不允许存在裂纹、针孔、分层等缺陷, 否则在 1　引言 大电流流过时将引起局部过热而使元件烧毁。 小型化、数字化是当今电子产品发展的主 膜密度的变化对元件可靠性也有影响, 生产过 流。然而, 高度集成、高速运算都导致电路抗瞬 程中需严格保证。烧成在氧气氛中进行, 最佳烧 变浪涌能力大幅度下降。美国 IBM 公司曾对计 成温度为 1000～ 1100℃, 比圆片形烧成温度要 算机电源故障原因作过统计, 其中瞬变干扰占 低 200～ 300 ℃, 这是因为贵金属电极有触媒作 885% 。据报道, 美国工业每年因瞬变干扰造成 用。片式多层压敏电阻器正是因为采用多层的 的损失超过 100 亿美元, 其中由 ESD 对 IC 的 独石结构及制造工艺, 压敏电压可以做得很低, 损害造成的损失约 50 亿美元。 多层并联连接增大了元件的通流容量, 片式化 片式多层压敏电阻器近几年发展迅速, 它 则减少了引线引起的滞后, 提高了响应速度。 不但具有 SM C 元件的各种优点, 而且响应速 度快、通流量大、箝位电压低、吸收瞬变浪涌, 对 ESD 非常有效, 是低压 IC 和对 ESD 敏感元件 的理想保护元件。 2　结构和工艺 片式多层压敏电阻器的结构如图 1 所示。 图 1　片式多层压敏 图2　片式多层压敏 其结构与片式多层陶瓷电容器相同, 制造工艺 电阻器的结构 电阻器的伏安特性 也相似, 但它对工艺的要求比片式多层陶瓷电 容器更严格, 特别是陶瓷层的厚度、内部显微结 3　特性 构等要致密均匀, 不能有缺陷, 而且瓷体与电极 3 1　 - 特性 V I 一次烧成。电极浆料在高烧成温度下形成的电 片式多层压敏电阻器是电压非线性元件, 极应与半导体陶瓷保持欧姆接触, 因而对电极 其 特性符合 = 关系。当加在压敏电 V I I KV 浆料和烧成工艺提出新的要求。压敏电压与半 阻器两端的电压低于压敏电压时, 其电阻非常 导体陶瓷层厚成正比, 根据不同的压敏电压, 生 大, 但只要稍微超过, 电流急剧上升, 此时其阻 片厚度一般为 20- 100m 。为保证压敏电压符