第2章 半导体3极管及其电路分析.ppt

⑴ UGS对导电沟道的影响 工作原理 当UDS=0时UGS对导电沟道的影响示意 沟道全夹断，使iD=0。 沟道两侧的PN结变宽，使导电沟道变窄。 （2）uDS对导电沟道和iD的影响 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 伏安特性 1、输出特性曲线 2、转移特性曲线 各种场效应管的符号和特性曲线 类型 符号和极性 转移特性 输出特性 u GS O I DSS i D U P u GS O I DSS i D U P － i － u DS O u G S ＝0 V ＋1 V D ＋2 V ＋3 V u G S ＝ U P ＝＋4 V u DS O u G S ＝0 V －1 V i D －2 V －3 V u G S ＝ U P ＝－4 V u DS O u G S ＝5 V i D 3 V u G S ＝ U T ＝＋2 V 4 V u GS i D O U T G S D + － i D － + G S D + － i D － + G S D + － i D － + B JFET P 沟道 JFET N 沟道 增强型 N MOS u GS O i D U P I DSS i D O U T u GS u GS O I DSS i D U P u DS O u G S ＝0 V i D －2 V u G S ＝ U P ＝－4 V ＋2 V －i D －5 V u G S ＝ U T ＝－3 V O － u DS －4 V u G S ＝ －6 V － i D －2 V u G S ＝ U P ＝＋4 V O － u DS ＋2 V u G S ＝ 0 V G S D + － i D B + － G S D + － i D － + B G S D + － i D B － + 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS ①开启电压UGS(th)和夹断电压UP (或UGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 即： UGS(th) —当增强型场效应管的uDS一定时, 漏极电流iD达到某 一数 值时所需加的uGS值。 UGS(off) —是耗尽型和结型场效应管的漏极电流约为零时的uGS 值 。 uGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了uGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 2.2.3 场效应管的主要参数 ④直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω; MOS管可达1010Ω 以上。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥漏源击穿电压U(BR)DS ⑦栅源击穿电压U(BR)GS ⑤漏源动态电阻rdS ： 一般在几十～几百KΩ之间。 2.3 三极管基本电路及其分析方法 交流分析, 又称动态分析, 主要是分析放大电路仅在输入信号ui作用下时电路的电压放大倍数、 输入电阻和输出电阻等性能指标。 放大电路的分析主要包含两个部分: 直流分析, 又称为静态分析（ui=0）, 用于求出电路的直流工作状态, 即基极直流电流IB（或IBQ ）; 集电极直流电流IC （或ICQ ）; 集电极与发射极间直流电压UCE （或UCEQ ） 。 工程近似分析法 【近似估算法】 2.3.1 三极管直流电路的分析 1、画出放大电路的直流通路 将交流电压源 短路，将电容 开路。 直流通路的画法： 开路 Rb +VCC RC C1 C2 RL 开路 2、确定静态（直流）工作点 硅管： 锗管： 根据三极管各极电流关系, 可求出静态工作点的集电极电流ICQ： 再根据集电极输出回路可求出UCEQ Rb +VCC RC IB UBE Rb +VCC RC ICQ UCEQ 例： 解： 估算如图所示放大电路 的静态工作点。 设UCC=12 V, Rc=3kΩ, Rb=280kΩ, β＝５０。 图解分析法 图解法求静态工作点的步骤: (1)由基极回路求出IBQ。 (2)在输出特性曲线所在坐标中, 按直流负载线方程UCE=UCC-ICRc, 作出直流负载线。 (3) 找出iB=IBQ这一条输出特性曲线, 与直流负载线的交点即为静态工作点（ Q点）。读出Q点坐标的电流、电压值即为所求。 UCC IC UCE Q IB UCE IC 静态工作点 IB UBE Q IC UCE ui ib ib