第3章 光电传感与检测器件1.ppt

①　光谱测量 ②　极微弱光信号的探测——光子计数 ③　射线的探测 （4）杂质型 杂质型光电导效应是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。 此时长波限由杂质的电离能Ei决定，因为Ei Eg，所以杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长得多。 光辐射入射到本征或非本征半导体材料上，开始时随时间的增加光生载流子逐渐增加，经过一定时间后，载流子浓度才逐渐趋于一稳定值。此后，若突然遮断入射的光辐射，光生载流子并不立即下降到照射前的水平，而是经过一定时间才趋于照射前的水平，这种现象称为光电导的弛豫现象。 光电导的弛豫时间或时间常数 光辐射入射到本征或非本征半导体材料上，建立稳定的光生载流子浓度所需要的时间，或停止照射后光生载流子浓度下降到照射前的水平所需要的时间。 光敏电阻工作原理图及其符号:  (ⅰ) 对紫外光灵敏的光敏电阻，如硫化镉(CdS)和硒化镉 (CdSe)等； (ⅱ) 对可见光灵敏的光敏电阻，如硫化铊 (TiS)，硫化镉 (CdS)和硒化镉(CdSe)等； (ⅲ) 对红外光灵敏的光敏电阻如硫化铅(PbS)、碲化铅 (PbTe)、硒化铅(PbSe)和碲化铟(InSb)，碲镉汞 (Hg1- xCdxTe)，碲锡铅(Pb1-xSnxTe)和锗掺杂等。 有光照时，若p-n结外电路接上负载电阻 ，如下图所示，此时p-n结内出现两种方向相反的电流：一种是光激发产生的电子—空穴对，在内建电场作用下，形成的光生电流 ，它与光照有关，其方向与p-n结反向饱和电流 相同；另一种是光生电流 流过负载 产生电压降，相当于在p-n结施加正向偏置电压，从而产生正向电流 。 （ⅰ）要得到短的响应时间，必须选用小的负载电阻； 负载大时频率特性变差，减小负载可减小时间常数，提高频响。但负载电阻的减小会使输出电压降低，实际使用时视具体情况而定。 （ⅱ）光电池面积越大则响应时间越大，因为光电池面积越大则结电容 越大，在给定负载 时，时间常数 就越大，故要求短的响应时间，必须选用小面积光电池。 总的来说，由于硅光电池光敏面积大，结电容大，频响较低。 当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时,光电池的性能是相当稳定的,使用寿命也很长。硅光电池的性能比硒光电池更稳定。光电池的性能和寿命除了与光电池的材料及制造工艺有关外,在很大程度上还与使用环境条件有密切关系。如在高温和强光照射下,会使光电池的性能变坏,而且降低使用寿命，这在使用中要加以注意。下表给出了几种硅光电池的性能参数，以供参考。 ? 将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起，用来同时探测被测物体各部位提供的不同光信息，并将这些信息转换为电信号的器件。 当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压时，在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产生新的电子—空穴对。 新的电子—空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动．在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一次产生电子—空穴对。 只要电场足够强，此过程就将继续下去，达到载流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的反向工作偏压略低于击穿电压。 雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与偏压的关系曲线 在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加 从B点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声 也显著增加，如图中c点以有的区域。因此，最佳的偏压工作区是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。 雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。 导通后，即使光照消失，光敏晶闸管仍维持导通。 光敏晶闸管的特点：导通电流比光敏三极管大得多，工作电压有的可达数百伏，因此输出功率大，可用于工业自动检测控制。 发光器件：白炽灯、LED、激光器 光接收器件：光敏电阻、光电二极管，光电三极管 发光器件与光接受器件封装在一体，但不接触，有很强的电气绝缘性，信号通过光传输。 用途：用于隔离线路、开关、数模