第4章__1半导体的高温掺杂.pptVIP

第四章 半导体的高温掺杂 4.1 扩散现象 扩散模型 扩散是一种物理想象，是因为分子受到热运动的驱动而使物质由浓度高的地方移向浓度低的地方。扩散可以发生在任何时间和任何地方。如香水在空气中扩散；糖，盐在溶液中扩散。 扩散的发生需要的条件：浓度差； 1.热扩散法掺杂 热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。 利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。 氧化扩散炉 扩散炉中的硅片 热扩散步骤 热扩散通常分两个步骤进行： ------预淀积（predeposition） 也称 预扩散 ----推进（drive in）/再分布 预淀积（预扩散） 预淀积:温度低(炉温通常设为800到1100℃),时间短,因而扩散的很浅,可以认为杂质淀积在一薄层内。目的是为了控制杂质总量 即形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。 推进（主扩散） 推进是利用预淀积所形成的表面杂质层做杂质源，在高温下（炉温在1000到1250℃）将这层杂质向硅体内扩散。目的为了控制表面浓度和扩散深度