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第 １卷 第 ２ ７ 期
２０ 年 ６ ０７ 月
天 津 工 程 师 范 学 院 学 报
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当代微电子技术和产业的发展趋势综述
王光伟
（ 天津工程师范学院 电子工程系， 天津３ ２ ） ０２
摘要： 成电 Ｉ 设计、 从集 路（ ） Ｃ 工艺、 封装和测试等几方面， 述了 ｃ 为 的当 综 以Ｉ 核心 代微电 技术 子 和产业的 要发 主 展趋
势， 探讨了 这些领域所面临的诸多问 题及其解决方案， 要介绍了 并简 一些典型的纳米新器 件及其应用。 关键词：集成电 路设计； 制造工艺； 封装； 测试； 成本； 微电子技术 中图分类号： ４２ Ｔ ４３ Ｔ ４５ Ｔ ４７ 献标识码： Ｎ） Ｔ （ ； Ｎ ０； Ｎ ０； Ｎ ０ Ａ 文章编号：１７ 一０８（（７ ０ 一０５ ０ ６３ １１ ２ ） ２ ０ 一 ６ ） Ｘ ） （
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如今， 以集成电路 （ ） Ｃ Ｉ 为核心的微电子技术与 产业已进人纳米电子时代。在这个时代， 纳米电子器 件所独有的一些物理及电学特性使得传统 Ｉ 设计、 Ｃ 工艺、 封装和测试面临一系列新的考验。 如互连延迟
Ｉ Ｏ 丁 Ｆ 、Ｉ 核复用和系统芯片成为 Ｆ 、Ｏ Ｍ Ｐ Ｉ Ｃ设计的重要发展方向
随着微电子系统复杂度和 Ｉ 芯片集成度越来越 Ｃ 现有的设计、 制造、 封装和测试等方面正遇到严峻 Ｅ ［ 。 ｃ 计， 重 （ 等 一 对于Ｉ设 应注 体现系 芯片（ｏ， 高， ） 句 Ｍ ｌ 统 ｓ ｃ Ｄ Ｔ ’ 和可制造性设计 ｓｔ ｎ ｃｐ 的 ｙｅ ａｈ ） 设计思想， ｓｍｏ ｉ 将可测性设计 （Ｆ ） 的挑战。基于可测性设计 （ Ｆ ） Ｄ Ｔ （ Ｆ 方案是应对这些挑战的可行方法［ Ｉ设计 Ｄ Ｍ） ］ ｖＣ 。 和可制造性设计 （ Ｆ 贯穿到设计工作中。 Ｄ Ｍ） 一些新
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