电磁波原理-Read.PPTVIP

第五章 电磁波的反射和折射 入射、反射、折射共面 四、入射波的两种极化情况 4、若入射波垂直极化，反射波、折射波也是垂直极化； 若入射波平行极化，反射波、折射波也是平行极化； 5、场的表示形式及相互关系 二、平行极化斜入射情况： 三、全透射 光缆结构 理想介质-理想介质交界面电磁波反射折射规律小结 3、驻波的工程应用 二、斜入射 1、反射系数和折射系数： 2、垂直极化斜入射(平行极化斜入射情况类似） 3、理想导体表面全反射的工程应用 金属材料的屏蔽机理 5.5 电磁波反射折射规律的应用 微波暗室原理 微波暗室 五、垂直入射 垂直极化 平行极化 x z 事实上，入射波为TEM波， 总是垂直于 平行于交界面，不论其极化方向如何，对交界面来说都一样。 垂直入射时，入射波的 与交界面法线 在一条直线上，因此入射面不确定。 因此，设定电场位于xoz平面，且入射波、反射波、折射波方向相同。 光疏 光密 光密 光疏 z 理想导体 1、理想介质中的合成场： 5.3 理想介质-理想导体交界面 一、垂直入射 2、合成场的特点： 合成场不是传播的行波，而是沿垂直于理想导体表面的方向（ z 方向）的驻波； z 瞬时表示式： 电场振幅最大的点， 波腹点： 电场始终等于0的点， 波节点： 波 节 波 节 波 节 波 腹 波 腹 波 腹 任意固定时刻， Ex的空间分布: 波 节 波 节 波 节 驻波随时间的变化规律：在原地上下振动 z 波腹 波腹 波腹 t3 t5 t6 t4 t2 t1 t0 驻波的平均能流密度： 结论： 驻波不传输电磁能量，电能、磁能不断相互转化。 可利用“垂直入射，波节点相距二分之一波长”的性质测量电磁波波长； 可以使电磁波在导体面之间来回垂直反射，形成谐振腔，能量不损失。 理想导体 理想导体 由于导体表面是波节点，故两导体面间距为 的整数倍，只有频率满足此条件的电磁波才能形成谐振（即选频功能）。 A 可移动探针 电场≠0，探针电流≠0； 波节点处：探针电流＝0 理想导体 电磁波在理想导体表面被全反射，理想导体中电磁场为0，无折射场。 理想导体 理想介质 理想导体 在理想导体表面，入射场与反射场的合成场＝0，故切向电场＝0，满足理想导体表面的边界条件。 反射电场与入射电场反向，且振幅值相同； 边界条件 理想导体 z x 电场表示式： 媒质1中的合成电场： 振幅： 随 z 坐标正弦变化 相位： 沿 方向连续滞后 即：沿 方向传播 合成场沿理想导体表面传播，等相位面垂直于导体表面； x z 理想导体 z方向上场矢量值的正弦分布不是由传播带来的，而是一种空间分布，将这种波状分布称为驻波（意即：停驻的波）。 振幅 等相位面上，场矢量的振幅呈正弦分布。因此在某个时刻，在一个等相位面上，场矢量不再处处相等，为非均匀平面波。 等相位面 合成场 某时刻，均匀平面波的电场空间分布。 等相位面上场均匀分布 等相位面 某时刻，非均匀平面波的电场空间分布 驻波 方向 行波 方向 等相位面 可以采用两个平行的理想导体面，引导电磁波在其间、沿平行于导体面的方向传播。 能量 理想导体 理想导体 有耗媒质中有折射波； 折射波在有耗媒质中边传播边衰减，可传播的距离有限，衰减常数为 ； 5.4 理想介质－有耗媒质交界面 有耗媒质 理想介质 可以证明，若有耗媒质的介电常数或磁导率的虚部远远大于其实部，则折射波近似垂直于有耗媒质表面。 垂直于有耗媒质表面的折射波的振幅衰减到表面处的 (即0.368倍)时所传播的距离； 穿透深度： 入射波 反射波 z 有耗媒质 理想介质 若导电媒质层的厚度大于若干个穿透深度，则折射波的能量在导电媒质层内部就几乎全部损耗，不能透过该导电媒质层。这一性质可用于电磁屏蔽。一般可利用金属板或金属网来屏蔽电磁波。 材料 50 1M 几种导电媒质的穿透深度 更高频率时的穿透深度更小。 屏蔽的意义： 防止内部电子设备的信息通过电磁波泄漏出去； 信息泄漏防护技术（TEMPEST） 避免外部电磁干扰，防御电磁武器对电子设备的破坏。 电子 设备 电磁武器 电磁干扰 电磁 泄漏 屏蔽层 常见屏蔽设备和配件 电磁波的反射、折射与隐身（Stealth）技术 隐身技术： 辐射电磁波，靠稳定、持续的目标回波来探测、锁定目标。(被动雷达不辐射) 雷达工作原理： 雷达辐射波 目标回波 单基雷达 雷达辐射波 目标回波 双（多）基雷达 1、外形隐身：