累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究-物理学报.PDFVIP

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/279018218 Simulation study of the influence of ionizing irradiation on the single event upset vulnerability of static random access... Article in Acta hysica Sinica -Chinese Edition- · September 2013 DOI: 10.7498/aps.62.188502 CITATION READS 1 9 6 authors, including: Lili Ding Tsinghua University 26 UBLICATIONS 41 CITATIONS SEE ROFILE All content following this page was uploaded by Lili Ding on 08 February 2017. The user has requested enhancement of the downloaded file. 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 18 (2013) 188502 累积辐照影响静态随机存储器单粒子 翻转敏感性的仿真研究 1† 1 1 12 1 12 丁李利 郭红霞 陈伟 闫逸华 肖尧 范如玉 1) ( 西北核技术研究所, 西安 710024 ) 2) ( 清华大学工程物理系, 北京 100084 ) ( 2013年5月2 日收到; 2013年6月4 日收到修改稿) 基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory, SRAM) 单 元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势. 同时借助仿真模拟计算了0.18 m 工艺对应的六管 SRAM 单元在对应不同累积剂量情况下, 离子分别入射不同中心单管时的电学响应变化, 计算结果与解析分析所得 推论相一致, 即只有当累积辐照阶段与单粒子作用阶段存储相反数值时, SRAM 单元的单粒子翻转敏感性才会增强. 关键词: 累积辐照, 单粒子翻转, 静态随机存储器, 器件仿真 PACS: 85.30.De, 61.80.−x, 73.40.Qv DOI: 10.7498/aps.62.188502 7 增大两个量级 . 另一部分结果表明, 只有所存储 1 引言 图形全部改为相反值时, 对应的单粒子翻转截面才 会增大, 否则就会减小3679 . 其他结果则表明, 累 空间辐射环境是由质子、电子、重离子等组 积辐照对于某些SRAM 器件的单粒子翻转截面不 67 成的复杂环境, 星用微电子器件可能受到总剂量 会出现明显的影响 .