场引晶体管双极理论Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构).pdfVIP

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场引晶体管双极理论Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构).pdf

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第29卷第4期半导体学报 V01．29No．4 CHINESE OF 2008年4月 JOURNALSEMICONDUCToRS Apr．，2008 The oftheField—Effect Bipolar Transistor： Theory X．TheFundamentaland PhysicsTheory (A¨DeviceStructures)’ Sah JieBinbin3’ Chih．Tan912’3’and (1 32605，USA) UniversityofFlorida，Gainesville，Florida (2Chinese 100864，China) AcademyofSciences，Fo陀ignMember，Beijing (3 100871，China) PekingUniversity，Beifing describesthefoundation thedevice and ofthesemiconductorfieldeffect Abstract：Thispaper underlying physicstheory transistorwhichis to deviceswithtwocarrier inanelectricfield．The ofthe applicableany species importanceboundary conditionsonthedevice characteristicsisdiscussed．Anillustrationis ofthetransferDCIVcharac． current-voltagc given teristics fortwo conditions，oneonelectrical much drift．1imitedcur． computedboundary potential，givinghigher parabolic rent theintrinsic theotheronthe muchlower transistor，and electrochemical through potentials，giving barrierdiffusion．1imitedcurrentwithideal60mVdecade subthreshold electronand per exponential rol