14章 半导体器件.pptVIP

作 业: P30 14.3.1、14.3.2、14.3.3、14.3.4、14.4.1、14.3.5、14.3.6、14.3.8 实验数据 14.6 光电器件 发光二极管（LED）：正偏导通时，发出一定波长的可见光。 光电二极管：利用光敏特性将光的变化化为电流的变化，在反向电压下工作。 光电晶体管：用光的亮度控制集电极电流。 作 业: P30 14.5.1、14.5.2、14.5.3、14.5.4、14.5.5、14.5.6、14.5.7 14.5.8、14.5.9、14.5.10、14.6.1 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 14.5.4 主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大系数： 1、电流放大系数? 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大系数为： 在以后的计算中，一般作近似处理：?= ? 集-基极反向截止电流ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 集-射极反向截止电流ICEO ?A ICBO ?A ICEO ICEO又称为穿透电流 IE=0 IB=0 2、极间反向电流 集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 3、极限参数 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流经集电极时将产生热量，使结温升高，从而会引起晶体管参数变化。所以要对集电极消耗的功率加以限制。 PCM=ICUCE 由以上三个极限参数共同确定晶体管的安全工作区。 PCM主要受结温限制： 锗管允许结温70~90 硅管允许结温150 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 晶体管的安全工作区 * 第14章 半导体器件 14.1 半导体导电特性 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、硒和大多数金属氧化物、硫化物等。 按导电性能分 14.1.1 本征半导体 实际应用最多的半导体是硅和锗，它们原子的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 完全纯净的、结构完整的半导体，称为本征半导体（晶体结构）。 硅和锗的晶体结构 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 +4 +4 +4 +4 共价键共 用电子对 +4表示除去价电子后的原子 本征半导体的导电机理 1、在绝对0度和没有外界激发时,价电子被共价键束缚，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），不导电，相当于绝缘体。 2、在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。即出现电子-空穴对。温度越高，本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 电子-空穴对 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的自由电子和空穴。 +4 +4 +4 +4 在电场力作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此认为空穴也是载流子，是带正电的粒子。 本征半导体的导电机理 在半导体外加电压的作用下,出现两部分电流:自由电子定向移动、空穴的迁移。 本征半导体中由于电子-空穴数量极少，导电能力极低。实用时采用杂质半导体（P型、N型）。 14.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体，使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体。 N型半导体 P型半导体 掺入微量5价元素（磷） 多子：电子 少子：空穴 + 掺入微量3价元素（硼） 多子：空穴少子：电子 一 半导体的导电特点： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的