1章 半导体器件的特性.pptVIP

电 子 学 基 础 第一章 半导体器件的特性 §1.1 半导体的导电特性 §1.2 PN结 §1.3 二极管 §1.4 双极型晶体管 §1.5 场效应管 §1.1 半导体的导电特性 一、本征半导体的导电特性 二、杂质半导体的导电特性 二、杂质半导体的导电特性 本征半导体中虽存在两种载流子，但 因本征载流子浓度很低，所以导电能力很 差。若在本征半导体中掺入某种特定的杂 质，成为杂质半导体，则它们的导电性能 将发生显著变化。 1、 N型半导体 如果在硅或锗的晶体中掺入少量的5价元素，如 磷、砷、锑等，则原来晶格中的某些硅原子将被5价 杂质原子代替。由于杂质原子最外层有5个价电子， 因此它与周围4个硅原子组 成共价键时多余一个电子。 这个电子不受共价键束缚， 只受自身原子核的吸引，这 种束缚较弱，在室温条件下 即可成为自由电子。 2、P型半导体 如果在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素, 如硼、镓、铟等，此时 杂质原子最外层有3个 价电子，因此它与周围 4个硅原子组成共价键 时，由于缺少一个电子 而形成空穴，如图所示。 §1.2 PN结 一、PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 一、 PN结的形成 §1.3 二极管 一、二极管的结构 二、二极管的伏安特性 三、稳压二极管 四、二极管电路 一、二极管的结构及分类 二、二极管的伏安特性 2、二极管的伏安特性 3、二极管的主要参数 三、稳压二极管 2、主要参数 (1) 稳定电压Vz：稳压管正常工作时的稳定压值。 (2) 稳定电流 Iz：使稳压管正常工作时的参考电流。 (3) 动态电阻 rz：稳压管正常工作时的电压变化量与 电流变化量之比，即 它是衡量稳压管稳压性能好坏的指标，rz越小稳压 性能越好。 (4) 最大稳定电流Izmax和最小稳定电流Izmin 即稳压管的最大和最小工作电流。 四、二极管电路 §1.4 双极型晶极管 一、晶体管的结构 二、晶体管的放大作用 三、晶体管的共射组态特性曲线 四、晶体管的主要参数 一、晶体管的结构 双极型晶体管简称三极管或晶体管。从结构上看, 晶体管相当于两个二极管背靠背地串联在一起，如图 所示。 1、晶体管内部载流子的运动规律 (2) 电子在基区中扩散与复合 (2) 共发射极直流电流传输方程 晶体管外部各极电流和电压的关系 曲线，称为晶体管的特性曲线，特性曲 线全面反映了晶体管性能，是分析放大 电路的重要依据。对于晶体管不同的连 接方式，有不同的特性曲线，下面讨论 的是最常用的共发射极接法的输入特性 和输出特性。 指基极电流IB为常 数时，集电极电流IC与 集射极电压VCE之间的 函数关系曲线，即 四、晶体管的主要参数 §1.5 场效应管 一、绝缘栅型场效应管 二、N沟道增强型MOS场效应管 三、N沟道耗尽型MOS场效应管 四、场效应管的主要参数 一、绝缘栅型场效应管 前面介绍的晶体管又称双极型三极管，这是因 为这类三极管参与导电的有两种极性的载流子：多 子和少子。现在要讨论另一种类型的三极管，它们 依靠一种极性的载流子(多子)参与导电，所以称为 单极型三极管。又因这类管子是利用电场效应来控 制电流的，因此又称场效应管。 二、N沟道增强型MOS场效应管 二、N沟道增强型MOS场效应管 二、N沟道增强型MOS场效应管 ② 漏极特性 三 、N沟道耗尽型MOS场效应管 四、场效应管的主要参数 如果在栅极和源极之间加正向电压VGS (0)，此 时栅极的金属极板(铝)与P型衬底之间构成一个平行板 电容，中间为SiO2绝缘层作为介质。由于栅极的电压 为正，它所产生的电场对P型衬底中的多子(空穴)起排 斥作用，对少子(电子)有吸引 作用。即P型衬底中的少子(电 子)在电场作用下吸引到靠近 SiO2的一侧，与空穴复合，形 成由负离子组成的耗尽层。耗 尽层的宽度随VGS的增大而变宽。 第一章 半导体器件的特性 §1.5 场效应管 二、N沟道增强型MOS场效应管 当VGS增大到一定值时，由于吸引了足够多的电 子，便在SiO2绝缘层与耗尽层之间形成了由电子作为 多数载流子的表面电荷层，如图所示。因为是在P型 半导体中感应产生出N型 电荷层，所以称之为反型 层。于是，在漏极和源极 之间有了N型的导电沟道 (与P型衬底间被耗尽层隔 开)。开始形成反型层所需 的VGS称为开启电压，用