精品第5章 存储器技术.pptVIP

5.4.2 16位微机系统中的存储器接口 8086的存储器访问操作 字节访问： 例：MOV AL, [21H] A0=1，BHE=0 奇存储体片选有效 A1~A19=10H寻址奇存储体 经数据线D8~D15送数据到AL 偶存 储体 奇存 储体 A0 BHE D8~D15 D0~D7 A1~A19 5.4 半导体存储器接口的基本技术 5.4.2 16位微机系统中的存储器接口 8086的存储器访问操作 字访问： 例：MOV AX, [20H] A0=0，BHE=0 奇偶存储体片选均有效 A1~A19=10H寻址奇偶存储体 经数据线D0~D15送数据到AX 偶存 储体 奇存 储体 A0 BHE D8~D15 D0~D7 A1~A19 5.4 半导体存储器接口的基本技术 5.4.2 16位微机系统中的存储器接口 8086的存储器访问操作 字访问： 例：MOV AX, [21H] 分两个总线周期完成： A0=1，BHE=0 A1~A19=10H寻址奇存储体 A0=0，BHE=1（CPU使能地址+1） A1~A19=10H寻址偶存储体 偶存 储体 奇存 储体 A0 BHE D8~D15 D0~D7 A1~A19 5.4 半导体存储器接口的基本技术 Thanks！ 5.2，5.5，5.7，5.9，5.13 课后作业 行地址选择 列地址选择 位线A’ 位线A 写放大器 读放大器 写放大器 输出DOUT 写入DIN 写选择 读选择 VCC T1 T2 T4 T3 T5 T6 T7 T8 读选择线 写选择线 写数据线 读数据线 预充电信号 VDD T1 T2 T3 T4 CG CS T 数据线 字线 三管MOS动态RAM基本单元电路 单管MOS动态RAM基本单元电路 熔丝 基片 源极 - - - - - - - - 漏极 电极导体 浮置栅 二氧化硅 EPROM 晶体管导通状态 +25V 0V 击穿电流 - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + 2114 2114 . . . . . A0 A9 ….. ….. . . . . . D0 D7 CS WE 1K ╳ 8位 1K ╳ 8位 . . . . . A0 A9 ….. ….. CS0 WE 1 A10 CS1 . . . . . D0 D7 ….. ….. D0 D7 … … I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 1024×1 WE CS A0 A9 … I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O 1024×1 WE CS A0 A9 … A10 M/IO RD WR A0 A10 … D0…D7 D0…D7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 … A0 A10 … CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 … A0 A10 … D0…D7 D0…D7 D0…D7 D0…D7 1 2 3 4 M/IO RD WR A0 A10 … D0…D7 D0…D7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 … A0 A10 … CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 … A0 A10 … D0…D7 D0…D7 D0…D7 D0…D7 1 2 3 4 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 7 0 0 0 H 7 7 F F H 1 M/IO RD WR A0 A10 … D0…D7 D0…D7 A12 A11 A13 A14 8086 A0 A10 … A0 A10 … CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 CS WE OE 6116 A0 A10 … A0 A10 … D0…D7 D0…D7 D0…D7 D0…D7 1 2 3 4 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A14 A13 A12 A11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1