精品第6章 微型计算机中的存储器.ppt

第6章 微型计算机中的存储器 存储器概述 RAM ROM 存储器的接口技术 高速缓冲存储器Cache 6.1存储器概述 一、性能指标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心”和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两个主要因素。 1、存储容量：指存储器芯片能存储的二进制信息量。 存储容量=单元数×数据位数 即字数×字长 通常以KB（210B）、MB （220B） 、GB （230B ）、TB （240B）为单位。 2、存取速度：用存取时间、存取周期衡量。 存取时间TA：CPU访问一次存储器所需的时间。 存取周期TAC ：连续两次访问存储器所需最小间隔时间。 3、功耗：每个存储单元所耗的功率。 维持功耗：当芯片未被选中，工作在维持方式，输出端为高阻态，功耗下降。 操作功耗：正常工作时的功耗。μw/单元 4、可靠性：用平均无故障时间来衡量。106～108小时 二、半导体存储器分类 6.2 随机存取存储器 6.2.1 SRAM 一、基本存储电路 基本存储电路简化图 由若干个存储单元可以组成一个芯片 二、SRAM的典型芯片 集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。 DRAM的基本存储电路是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 二、DRAM的典型芯片 说明： 存储地址需要分两批传送 行地址选通信号RAS有效，开始传送行地址，RAS相当于片选信号 随后列地址选通信号CAS有效，传送列地址 读写信号WE读/写有效 数据从DOUT引脚输出或从DIN引脚输入 三、DRAM芯片的刷新 刷新方式 集中刷新：在2ms时间内集中一段时间进行刷新，在这段时间内存储器不能进行读写操作，将这段时间称为死时间。 分散刷新：在几ms时间内每隔一段时间刷新一次。（需设刷新与读写选择电路，冲突时会增加读/写周期的时间） 异步刷新：在每一个指令周期中利用CPU不进行访问操作的时间进行刷新。 6.3 只读存储器ROM 6.3.1掩膜型ROM 信息制作在芯片中，不可更改 6.3.2可编程只读ROM 允许一次编程，此后不可更改 6.3.3 可擦除可编程只读ROM 一、基本存储电路 用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程。 二、典型EPROM芯片 2764 6.3.4 电可擦除可编程只读ROM 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程，也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路，可在线写入，但写入时间较长。 6.4.1 存储器与CPU的连接要考虑的问题 1 CPU总线的负载能力 CPU在设计时，一般输出线的直流负载能力为带5个TTL负载或10个CMOS负载，现存储器都为CMOS电路，直流负载很小，主要的负载是电容负载，故在小型系统中，CPU是可以直接与存储器相连的，而较大的系统中，就要考虑CPU能否带得动，需要时就要加上缓冲器，由缓冲器的输出再带负载。　 2 存储器的地址分配和片选 当多片存储器存在时，如何选片选信号。 3 CPU与存储器的时序配合问题 CPU的访存时间必须大于所用外部存储器的最大存取时间。 4 控制信号的连接 如： IO/M、RD、WR等 5 地址译码方式 线选译码 部分译码 全译码 6.4.3 存储体与CPU的连接 例1：用2K×8bit的6116组成8KB的存储体与8086CPU连接。 例2：用32K×8bit的RAM组成128KB的存储体与80486CPU连接。 * * * (按存储原理分类) 半导体存储器 磁介质存储器（外存） 光存储器 双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型计算机或高速微机中； MOS型 掩膜ROM 一次性可编程PROM 紫外线可擦除EPROM 电可擦除E2PROM 可编程只读存储器FLASH 读写 存储器 RAM 只读 存储器 ROM （按读写功能分类) （按器件原理分类） 静态SRAM 动态DRAM： 集成度高但存取速度较低， 一般用于需要较大容量的场合。 非易