降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺3.PDFVIP

第 27 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 7 2006 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2006 降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺 1 , 2 1 库黎明 　王 　敬 　周旗钢 ( 1 北京有色金属研究总院 , 北京 　100088) (2 清华大学微电子学研究所 , 北京 　100084) 摘要 : 利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响 ,并通过建立表面氧化过程的 分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析. 结果表明 ,硅片表面在含有氧化剂 H O 的溶液中生成一层氧化 2 2 层后 ,能基本消除 O H - 对硅片表面的各向异性腐蚀 ,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小 ,并且随 SC1 清洗过程中 N H O H 浓度的增大而减小. 4 关键词 : 预氧化 ; 氧化层 ; 各向异性腐蚀 ; 微粗糙度 PACC : 8160C ; 7960 ; 6865 中图分类号 : TN 30597 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 07133 104 硅片表面在碱性 N H4 O H 溶液中腐蚀的各向异性 , 1 　引言 从而达到降低硅片表面微粗糙度的目的. 自1970 年 Ke r n 和 Pu ot ei n 发明 R CA 标准清 2 　实验与结果 洗工艺以来 , 该工艺逐渐成为了集成电路用硅片制 造过程中的主要清洗工艺 , 它包括两步清洗 : S C1 2 . 1 　实验 ( 一号清洗液 : N H O H/ H O / H O ) 和 S C2 ( 二号 4 2 2 2 清洗液 : H Cl/ H O / H O ) [ 1 ] . 在碱性 N H O H 溶液 本实验使用的硅片是直拉法生产的p ( 100) 、电 2 2 2 4 中,硅片表面和颗粒的表面势同为负 , 非常有利于颗 阻率为 15～25Ω ·cm 的 150mm 硅抛光片 ,在德国 粒的去除[ 2 ] . 但是碱性 N H4 O H 溶液对硅单晶进行 St eag 公司生产的清洗机上进行清洗. 清洗过程的 强烈的各向异性腐蚀 , 使硅片表面微粗糙度增加[ 3 ] . 工艺流程如下 : 随着栅氧化层不断地减薄 , 表面微粗糙度会导致氧 化层 厚度不均匀 , 从而会影 响栅氧化层 的完整 “SC1” 性[