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MasterThesisofShanxi 2009
University
ofthecou uantumdots
Property pledq
system
StudentName WenYu
Bing
ProfessorYahWeixian
Supervisor
or Theoretical
Maj physics
FieldofResearchSemiconductor
QD
InstituteofTheoretical
Department Physics
ResearchDurationSept，2006--June，2009
June2009
万方数据
H录
目录
引言……………………………………………………………………………………一1
第一章半导体量子点基础……………………………………………………………3
1．1量子点系统的一些基本理论与方法……………………………………………．3
1．1．1低维纳米材料量子点………………………………………………………一3
1．1．2量子点的制备……………………………………………………………………4
1．1．3量子点的一些性质……………………………………………………………．4
1．1．4单电子晶体管…………………………………………………………6
1．2外场驱动下量子点的输运性质………………………………………………7
1．1．1Floquet定理和准能……………………………………………………．．7
1．1．2动态局域化…………………………………………………………8
1．3基于耦合量子点的量子计算………………………………………………………8
1．4量子纠缠………………………………………………………………………………9
1．1．1量子纠缠的定义………………………………………………………………．9
1．1．2量子纠缠的度量……………………………………………………．9
1．5本文的研究成果……………………………………………………………………10
第二章库仑耦合量子点对单电子晶体管输运的影响……………………………．11
2．1模型和方法…………………………………………………………………………．11
2．2隧穿电流……………………………………………………………………………．12
2．3总结回顾……………………………………………………………………………21
第三章含时外场驱动下耦合量子点中三子动力学特性和量子纠缠特性………．23
3．1模型和隧穿动力学…………………………………………………………………23
3．2量子比特的形成和纠缠动力学………………………………………………．．27
3．3总结回顾………………………………………………………………………．．35
第四章总结与展望……………………………………………………………………36
参考文献…………………………………………………………………………
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