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离子敏传感器 ion transducer 第一节 离子敏传感器 1、场效应管的结构 一、 MOS场效应管 在P型硅衬底上扩散两个n+区，将两个n+区用电极引出，作为源极（S）和漏极（D）。 离子敏场效应管(ISFET)的结构和一般的场效应管基本相同，为了理解离子敏场效应管的原理，我们不妨先简单回顾一下场效应管的工作原理。 源极和漏极之间生成 SiO2 绝缘层，在绝缘层上蒸镀一层金属电极并引出，作为栅极（G）。 若源极和漏极之间施加电压的话，带电粒子将沿着该沟道流通，形成漏源极之间的沟道电流，又称作漏电流（ID）。 2、场效应管工作原理 在栅-源极施加电压VGS，栅极下的P型衬底表面将大量积聚电子而形成反型层。 当VGS≥VTH时，栅极下将形成强反型层，在源极-漏极之间形成 n型沟道。 离子敏场效应管正是利用场效应管的上述特性而实现对离子浓度的测量的。 3、漏电流的计算 当VDS ＜（VGS – VT）时 （场效应管工作在非饱和区）： 当VDS ≥（VGS – VT）时（在饱和区）： 式中：β是一个与场效应管结构有关的系数，并且： 其中， W、L、μn 、Cox分别为沟道宽度、长度、沟道中电子的有效迁移率。 场效应管漏电流ID的大小与阈值电压VT有关，特别是在VDS、VGS恒定的情况下，阈值电压VT的变化将引起漏电流ID的变化。 1、离子敏场效应管的结构 二、 离子敏场效应管 离子敏感器件由离子选择膜（敏感膜）和转换器两部分构成，敏感膜用以识别离子的种类和浓度，转换器则将敏感膜感知的信息转换为电信号。 基本原理：离子在敏感膜与溶液交界处产生界面电位，影响MOS管的阈值电压。 溶液与敏感膜和参比电极同时接触，充当了普通场效应管的栅金属极，构成了完整的场效应管结构，其源极、漏极的用法与一般的场效应管没有任何的区别。 离子敏场效应管的绝缘层（Si3N4 或 SiO2层）与栅极之间没有金属栅极，而是在绝缘栅上制作一层敏感膜。离子膜可以是固态也可以是液态的。 不同的敏感膜所检测的离子种类也不同，从而具有离子选择性。 含有各种离子的溶液与敏感膜直接接触，栅极用参考电极构成。 2、离子的活度 在待测溶液和敏感膜的交界处将产生界面电位φi，根据能斯特方程，界面电位的大小和离子的活度有关： 其中，φ0为常数； T为器件的绝对温度； n为溶液中离子的价数； αi为溶液中离子的活度； 气体常数R=8.314Jk -1mol -1； 法拉第常数F=9.694×104C·mol -1。 对于阴离子，若还原态物质活度为 1： 对于阳离子，若氧化态物质活度为 1： 式中，Kij为离子敏场效应管的选择系数。 活度αi表征了溶液中参加化学反应的离子浓度Ci，其单位为mol/L，并且： αi = νi Ci 其中，νi为离子的活度系数，与溶液中离子的浓度有关，离子浓度越大，νi越小； 相反，νi越大，当离子浓度Ci = 0时，νi =1。 在待测溶液中，一般总是存在着许多种离子，其它离子对待测离子的测量会起到干扰作用。考虑到干扰离子的作用，能斯特方程可以表示为： V’GS = VGS –φi –φref 3、离子的浓度的测量 采用共源电路连接。 考虑到参比电极的电位φref 、界面电位φi，实际施加于场效应管绝缘膜和半导体表面上的电压为： 在外加电压VGS 和VDS恒定、保持参考电极的电位φref不变条件下，ISFET的漏电流IDS的大小将随溶液的离子活度αi的变化而变化。 式中，QSS为场效应管等效表面态和氧化层电荷；QB为场效应管耗尽区单位面积电荷；Cox为场效应管单位面积的栅电容；φF为场效应管P型衬底的体内费米能级。 对于 n 沟道增强型场效应管，如果V’GS大于场效应管阈值电压VT，场效应管将由于V’GS的作用而导通，其漏极电流IDS为： 非饱和区： 饱和区： 其中，等效阈值电压为： 通过对ISFET的漏电流IDS的大小的测量，就可以检测出溶液中离子的浓度。 三、 离子敏场效应管特性 选择系数：在相同的电气与外界环境条件下，引起相同界面电位的待测离子活度φi与干扰离子的活度φj之间的比值称作选择系数，用Kij表示。 具有普通场效应管的优良特性，而作为离子敏器件，它还应满足敏感元件的一些基本特性要求， 线性度：器件在特定的测量范围内的输出电流IDS随溶液中离子浓度的变化而变化的特性。 动态响应：溶液中的离子活度阶跃变化或周期性变化时，离子敏场效应管栅源电压VGS、漏极电流IDS或输出电压VOUT随时间而变化的情况。 迟滞：溶液中离子活度由低值向高值变化或由高值向低值变化，离子敏场效应管的输出的重复程度。 ISFET可以用来测量离子敏电极所不能测量的