第三讲静电场的边值问题.pptVIP

即 式中 k? 为分离常数，它可以是实数或虚数。通常变量? 的变化范围为 ，那么此时场量随 ? 的变化一定是以 2? 为周期的周期函数。因此，上式的解一定是三角函数，且常数 k? 一定是整数，以保证函数的周期为2?。令 ，m 为整数，则上式的解为 式中A, B 为待定常数。 考虑到 ，以及变量? 的方程式，则前述方程可表示为 上式左边第一项仅为变量 r 的函数，第二项仅为变量 z 的函数，因此按照前述理由，它们应分别等于常数，令 即 式中分离常数 kz 可为实数或虚数，其解可为三角函数，指数函数或双曲函数。当 kz 为实数时，可令 式中C, D 为待定常数。 将变量 z 方程代入前式，得 上式为柱贝塞尔方程，其解为柱贝塞尔函数，即 至此，我们分别求出了R(r) ,?(?) , Z(z) 的解，而电位微分方程的通解应为三者乘积，或取其线性组合。 式中E, F 为待定常数, 为 m 阶第一类柱贝塞尔函数， 为m阶第二类柱贝塞尔函数。根据第二类柱贝塞尔函数的特性知，当r = 0 时， 。因此，当场存在的区域包括 r = 0 时，此时只能取第一类柱贝塞尔函数作为方程的解。 若所讨论的静电场与变量 z 无关，则分离常数 。那么电位微分方程变为 此方程的解为指数函数，即 若所讨论的静电场又与变量? 无关，则 m = 0。那么，电位微分方程的解为 考虑到以上各种情况，电位微分方程的解可取下列一般形式 例 3-5-1 设一根无限长、半径为 a 的导体圆柱放入无限大的均匀静电场中，电场强度方向垂直于导体圆柱，如图所示。试求导体圆柱外的电场强度。 解 选取圆柱坐标系，令 z 轴为圆柱轴线，电场强度的方向与x 轴一致，即 当导体圆柱处于静电平衡时，圆柱内的电场强度为零，圆柱为等位体，圆柱表面电场强度切向分量为零，且柱外的电位分布函数应与z 无关。解的形式可取前述一般形式，但应满足下列两个边界条件： x y a E0 O * * * 第三章 静电场的边值问题 　主 要 内 容：电位微分方程（泊松方程、拉普拉斯方程），三类边值问题，镜像法，分离变量法。 3-1　 电位微分方程 已知，电位 ? 与电场强度 E 的关系为 对上式两边取散度，得 对于线性各向同性的均匀介质，电场强度 E 的散度为 1.泊松方程和拉普拉斯方程 那么，线性各向同性的均匀介质中，电位满足的微分方程式为 该方程称为泊松方程。 对于无源区，上式变为 上式称为拉普拉斯方程。 2.边值问题 　　静电场的场量与时间无关，因此电位所满足的泊松方程及拉普拉斯方程的解仅决定于边界条件。根据给定的边界条件求解空间任一点的电位就是静电场的边值问题。 通常给定的边界条件有三种类型： 第一类边界条件给定的是边界上的电位，这种边值问题又称为狄利克雷问题。 　第二类边界条件是给定边界上电位的法向导数值，这种边值问题又称为诺依曼问题。 　　第三类边界条件是给定一部分边界上的电位及另一部分边界上电位的法向导数值，这种边界条件又称为混合边界条件。 静电场的边界通常是由导体形成的。此时，若给定导体上的电位值就是第一类边界。 已知导体表面上的电荷密度与电位导数的关系为 ，可见，表面电荷给定等于给定了电位的法向导数值。因此，给定导体上的电荷就是第二类边界。 因此，对于导体边界的静电场问题，当边界上的电位，或电位的法向导数给定时，或导体表面电荷给定时，空间的静电场即被惟一地确定。这个结论称为静电场惟一性定理。该定理适用于非线性介质。 证明唯一性定理：　（反证法） 　设静电场存在的区域为V，其边界表面为S，如果在给定的第一类或第二类边界条件时，V中存在两个电位　　及　　均满足泊松方程，即 令：　　　　　　，则有 利用第一标量格林定理，　　　　　　　　　　　 并令　　　　　　　，有 1、如给定边界的电位，即边界S上的电位差即为0。则 即　　　　　　所以，　　　　　区域V中不可能存在两个电位。得证。 2、如给定边界的电位的法向导数，同理可证。 3-2 镜像法 实质:是以一个或几个等效电荷代替边界的影响，将原来具有边界的非均匀空间变成无限大的均匀自由空间，从而使计算过程大为简化。 依据：惟一性定理。因此，等效电荷的引入必须维持原来的边界条件不变，从而保证原来区域中静电场没有改变，这是确定等效电荷的大小及其位置的依据。这些等效电荷通常处