VBE控制输出电流-崑山电子历程-崑山科技大学.PPT

Chapter 5雙載子接面電晶體(BJT)元件分析 四技一年級下學期 授課教師：任才俊 二個pn界面(電晶體) 1948年，貝爾實驗室發現真空管可將微弱電子訊號放大，但體積大且溫度高。(今日在高功率及極高頻應用仍用真空管) 1960年，第一顆以半導體製程之電晶體製作完成。 npn型半導體與pn半導體不同的是它有二個pn界面。其結構就像是二顆陽極連接在一起的二極體，毫無特殊之處。 真正奇妙的結果是調整不同的p,n厚度而形成。 NPN電晶體 刻意將中間的p型半導體做得很薄 將其中一塊n型半導體的摻雜濃度大幅提高(n+) ，使得兩塊n型半導體成為不對稱的結構 發現它的行為和兩顆二極體的組合顯著不同，此一發現正式宣告電晶體的來臨 VBE Vcut-in 　B-E界面處於截止狀態，幾乎沒有自由電子或電洞能越過B-E界面，故電流為零。 VBE Vcut-in B-E界面處於導通狀態，大量的自由電子由Emitter飛向Base，數量由VBE決定。 VBE Vcut-in 當VCE = 0V 由Emitter飛向Base的自由電子全部由B極流出。 當0 VCE 0.3V 由Emitter飛向Base的自由電子受到Collector正電位吸引，一部分會越過B-C界面由Collector流出，另一部分則由Base流出。 當VCE ? 0.3V時 絕大部分由Emitter飛向Base的自由電子都被吸引由Collector流出，僅極少數由B極流出。 以上的特性和二極體大不相同，所以是一顆嶄新的元件。這顆三端元件稱為雙極性界面電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)。 工作原理整理 利用Emitter的高濃度自由電子(n+)主導整個元件的導電行為，相形之下電洞的作用很小。 利用VBE控制Emitter高濃度自由電子的流量。 將Base做得很薄，使VCE得以控制流向Base及Collector的比例 。 Collector參雜濃度最低，面積最大(散熱)。 電晶體特性 截止模式(Cutoff mode) 當VBE Vcut-in，幾乎沒有自由電子或電洞越過B-E界面，所有電流皆為零 。 飽和模式(Saturation mode) 當VBE Vcut-in，B-E界面處於導通狀態。假如 0V ? VCE 0.3V，此時電晶體處於飽和模式。 主動模式(active mode) 當VBE Vcut-in，B-E界面處於導通狀態，假如VCE ? 0.3V，則電晶體處於主動模式。 特性曲線 主動模式(Active mode) –VBE Vcut-in且VCE ? 0.3V IC和VBE的關係和二極體相同且不受VCE影響 IC和IB呈比例關係 在主動模式時，我們一般假定VBE = 0.7V，再利用以上的關係，便可以分析電路得到各電壓電流。 由KCL得到 截止模式(Cutoff mode) VBE Vcut-in (約0.5V) B-E界面不導通，Emitter無法發射電子，所以： IB= IC= IE= 0 因此利用VBE Vcut-in可以控制IC，強迫它為零。 飽和模式(Saturation mode) VBE Vcut-in且0 ? VCE 0.3V B-E界面導通，Emitter開始發射電子進入Base。 IC受VBE和VCE控制，但三者之間並無明確數學關係式存在。 為了簡化分析，我們通常作以下兩個假定： 以上說明顯示BJT是一顆以電壓(VBE)控制電流(IC)的三端元件，這顆元件將非常有用： 利用VBE Vcut-in 或VBE Vcut-in 則IC=0或IC≠0的特性，使BJT成為一顆很好的開關元件(switching device)，可以用在許多開關電路上。 當BJT處於主動模式時，利用VBE可以控制IC，特性與理想VCCS類似，是很好的放大元件，可用來製作放大器。 下圖是NPN型BJT的電路符號，三個端點分別是Emitter(E極)、Base(B極)和Collector(C極)。 PNP電晶體 PNP電晶體和NPN電晶體的工作原理相同，只是pnp電晶體的主要載子是電洞而非自由電子。 右圖是PNP電晶體的電路符號，同樣有E、B、C三極，它們的角色與NPN電晶體相同：E極負責發射電洞，數量由VEB所決定，而電洞由B極和C極流出的多寡則決定於VEC。 因為電洞帶正電，正常情況下E極在高電位而B、C極在低電位，故習慣上以VEB、VEC來表示端電壓以避免負號。 電流方向也剛好和npn電晶體相反，以符合正常電流方向。 pnp電晶體同樣是以電