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Estudio de las capacidades parásitas de un dispositivo LDMOS de RF Entendiendo los límites de la tecnología de los semiconductores Ignacio Cortes Mayol CNM–CSIC Enero 2004  índice 1 Introducción 3 1.1 Breve introducción al LDMOS 3 1.2 Diferentes tecnologías empleadas en el dise?o de dispositivos LDMOS de potencia 4 1.2.1 Tecnología Bulk 5 1.2.2 Tecnología SOI 5 1.2.3 Tecnología SOS 6 2 Figuras de mérito en transistores de RF 6 3 Capacidades parásitas del transistor MOS 9 3.1 La capacidad de entrada o Ciss 9 3.2 La capacidad de salida o Coss 10 3.3 La capacidad de feedback o Crss 11 4 Propuestas de Dise?o de dispositivos LDMOS de RF 12 5 Bibliografía 19  Introducción Desde la invención del transistor bipolar en el a?o 1947 los dispositivos microelectrónicos han evolucionado y mejorado sus prestaciones a un ritmo vertiginoso. Esta evolución se atribuye, en gran parte, a la continua reducción de las dimensiones de dichos dispositivos de modo que no sólo se consigue aumentar la densidad de integración, sino que además, se consigue mejorar mucho las prestaciones de los dispositivos en frecuencia. Como veremos en capítulos posteriores, las capacidades intrínsecas del dispositivo están directamente ligadas a las áreas de contacto entre las uniones P-N de la zona activa, además de la longitud de canal y el grosor y permitividad del óxido de puerta. Otros factores más tecnológicos como el tipo de oblea o tecnología empleada, o como los materiales empleados en los contactos también influyen de forma considerable. El propósito de este trabajo es revisar algunos de los factores que influyen en el comportamiento en frecuencia de un LDMOS de RF, y plantear las diferentes propuestas que se han realizado estos últimos a?os sin entrar en formalismos teóricos de dispositivos. En el capítulo 1 haremos una breve introducción al dispositivo LDMOS comentando su estructura básica y las tecnologías existentes más empleadas hasta la fecha. En el capítulo 2 hablaremos de todas las carac