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项目六 光电传感器及其应用 6.1光电效应与光电元件 第一部分 光的本质 第二部分 ——光电效应 是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。 二、分类 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 将光敏二极管的PN 结设置在透明管壳顶部的正下方，光照射到光敏二极管的PN结时，电子-空穴对数量增加，光电流与照度成正比。 五、光敏三极管（内光电效应） １、类型 总 结 第一部分 光的本质 1.量子学说 2.电磁波 3.波粒二象性 第二部分 ——光电效应 1、外光电效应2、内光电效应3、光生伏特效应 第三部分 光电元件 一、光电管（外光电效应） 二、光电倍增管（外光电效应） 二、光敏电阻（内光电效应） 四、光敏二极管（内光电效应） 五、光敏三极管（内光电效应） 休 息 一 下 （2）光电特性（155页） 在一定外加电压下，光敏电阻的光照度与电阻、电流之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同，但光电特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件，这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用作光电开关。 0 1 2 3 4 5 I/mA L/lx 1000 2000 　　　　（3） 伏安特性 　　在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。图中曲线1、2分别表示照度为零及照度为某值时的伏安特性。由曲线可知，在给定偏压下,光照度较大，光电流也越大。 50 100 150 200 1 2 U/V 0 20 40 I/ μA 　　在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。但是电压不能无限地增大，因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流的限制。超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。 （4）频率特性（响应时间） 　　当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性。 由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不同，如图。硫化铅的使用频率比硫化镉高得多，但多数光敏电阻的时延都比较大，所以，它不能用在要求快速响应的场合。 20 40 60 80 100 I / % f / Hz 0 10 102 103 104 硫化铅 硫化镉 四、光敏二极管（内光电效应） 　　光敏二极管符号如图。锗光敏二极管有A，B，C，D四类；硅光敏二极管有2CU1A～D系列、2DU1～4系列。 　　光敏二极管的结构与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态，如图所示。 P N 光 光敏二极管符号 RL 光 P N 光敏二极管反向接线 ? 光敏二极管阵列包含1024个InGaAs元件的线性光电二极管阵列，可用于分光镜。 １、光敏二极管外形 红外发射管 红外接收管 红外发射、接收对管外形 ２、工作原理 　　PN结加反向电压，无光照时反向电阻很大，反向电流（暗电流）很小。但是当光照PN结时，只要光子能量h大于材料的禁带宽度，就会在PN结及其附近产生光生电子—空穴对，它们在外加反向电压作用下定向运动，将光生电子拉向N区，光生空穴推向P区，分别在两个方向上渡越PN结，使反向电流（光电流）明显增大。如果入射光的照度变化，光生电子—空穴对的浓度将相应变动，通过外电路的光电流强度也会随之变动，光敏二极管就把光信号转换成了电信号。 ３、主要参数 　　光敏二极管在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小。反向电流也叫做暗电流。光敏二极管的光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。 ４、光敏二极管的反向偏置接法 　　在没有光照时，由于二极管反向偏置，所以反向电流很小，这时的电流称为暗电流，相当于普通二极管的反向饱和漏电流。当光照射在二极管的PN结（又称耗尽层）上时，在PN结附近产生的电子-空穴对数量也随之增加，光电流也相应增大，光电流与照度成正比。 　　光敏三极管有两个PN结，因而可以获得电流增益，它比光敏二极管具有更高的灵敏度。其结构如图a所示。 当光敏三极管按图b所示的电路连接时，它的集电结反向偏置，发射结正向偏置。 E U 0 c e I c R L N N P （a）　　（b） 光敏三极管外形 多数光敏三极管的基极没有引出线，只有正负（集电极c、发射极e）两个引脚，所以其外型与光敏二极管相似，从外观上很难区别。 　　光敏三极管有PNP型和NPN型两种，如图。其结构与一般三极管很相似，具有电流增益,只是它的发射极一边做的很大,以扩大光的照