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实验七 MOS场效应管常数测试 实验项目性质：普通实验 所涉及课程：半导体物理 微电子器件物理 微电子器件工艺 薄膜电子材料 计划学时：2学时 实验目的 1．熟悉场效应管参数测试仪的使用； 2．测量场效应管的饱和漏电流IDSS，夹断电压VDsat开启电压VT和沟道电导gm。 实验原理 1．饱和漏源电流IDSS 定义：栅源电压为0，漏源电压为规定值时的漏极电流称为IDSS。 测试原理如图1所示： 图1 IDSS测试原理图 先设定VDS、Vgs满足测试条件，再按下IDSS键测试参数。 2． 夹断电压VP或开启电压VT。 定义：漏源电压VDS和漏源电流IDS为规定值时，栅—源间的电压值称为VP（耗尽型）或VT（增强型） 测试原理如图2所示 图2 VP和VT测试原理图 说明： 先设定VDS、IDS满足测试条件，再按下VP（T）键测试参数。 3．低频正向跨导gm 定义：输出交流短路，漏源输出交流电流与栅—源输入交流小信号电压之比称为跨导gm。 测试原理如图3 图3 gm测试原理图 1/（wxRD）((RD((rDS CD — 输出交流短路 Cg——输入耦合电容，其值应足够大，保证栅极小信号通过 Gm——(IDS/(Vgs=V测/（ RD(V gs） 式中 若V gs=10 mV , RD=100(, V测=1mV 则gm= V测/（ RD(V gs）=1mV(10mV(0.1K() =1mS 单位：mS——读做毫西门子 说明： 先设定VDS、Vgs(或IDS)、f(1000HZ 固定频率，机内已保证) 满足测试条件，再按下gm键测试参数。 实验内容和实验步骤 一）使用说明 1 面板旋钮位置 整机出厂时，面板旋钮位置预置于下列位置（可供平时使用参考） 电源开关——关（倒向左侧） VGS——地键（中）按下 VGS调节——反钟向到底 VDS——N+键按下 VDS调节——反钟向到底 IDS(uA)——10uA键（中）按下 校——DC键按下（显示器右侧） 参数选择（位于显示器下面，简称下排）——校键按下 2 使用性校准 按通整机电源（电源开关由左侧倒向右侧），预热15分钟，然后顺便校准一下整机（步骤简单，但是十分必要）。 1） DC校准：先按下参数选择（下排）中的校键（前已设定）。再按下显示器右侧校中的DC键（前已设定），显示器显示应为100(0 0(1，否则应微调其下方暗孔中的电位器（220(） 2） AC校准：按下校（显示器右侧）中的AC键，显示器显示为100(0 0(1，否则其下方暗孔中的电位器（100(） 至此，校准已毕，参数测试工作即可以进行。 注：上述DC、AC校准工作，通常需要重复进行几次。另外，当参数测试工作持续时间较长时，上述校准工作还可以随时返回再进行一次，这样其测试结果就变得更为有效。 3 参数测试 本仪器可测试场效应管IDSS、VP（T）、gm三个参数，通常应根据场效应管的不同类别来选取相应漏源、栅——源工作电压极性和大小，具体选择应以器件参数技术手册规定为依据，不可大意，否则易招致器件损伤或仪器的损坏，务必注意。 现以3DJ6G为例说明 1） 饱和电流IDSS测试 由器件手册查知，该器件测试条件：VDS=10V Vgs=0V 先按下VDS键（下排），再按下VDS极性N+键，且顺钟向调节VDS按钮， 至数字表指示欲10V； 按下VGS；极性N-键，反钟向调节VGS钮至尽端（前已设定，此时Vgs=0） 注：也可直接按下VGS中的地键也同样可以实现Vgs=0之目的，且省去 了Vgs 调节步骤。建议设定Vgs=0时，优先使用该键，更简便，准确！ 插入被测管，按下参数选择中的IDSS，再将测试盒上的扳键开关倒向被测管一边，此时，数字表显示之值即为所测IDSS值。 注：（1）、如若IDSS较大 ，超过20mA（即按下）(10键，自然这时的IDSS等于显示值(10（即扩大10倍） （2）、该项参数测试完毕后，如欲转向另一项参数测试，则需先将测试盒上的“左(右”扳键置中间“断”的位置，再进行下项参数转换操作，这样可以隔离被测器件与整机线路的联系，而确保被测器件及仪器的安全。 2）夹断电压VP测试 A、 右3器件手册查知，该参数测试条件： VDS=10V IDS=10uA（或50uA ） B、 按下VDS键，设定VDS值 C、