Ga-%2cn-As-%2c8-n-（n%3d0-8）团簇随组份的变化特性的分析研究.pdfVIP

摘要 本文先对半导体团簇GaAs的研究现状、存在问题等作了详细的 介绍，然后采用全势能线性糕模轨道分子动力学(FP—LMT0一MD)方法 计算精度比较高，是目前计算团簇(包括固体和固体表面)几何结构 和电子结构的最好方法之一。 在团簇科学中，半导体团簇越来越受到人们的重视。其中Si和 Ge团簇的许多成果已经得到了公认，并且团簇的原子数目已近百个。 GaAs团簇在微电子和光电领域中有重要作用，但目前的研究主要针 对原子数目比较少GaAs团簇。得到了一些基态结构，还对结构畸变 的原因和HOMO—LUM0之间的能隙等进行了探讨。对原子数目较大的 GaAs团簇基本上没人研究过，就是小GaAs团簇，其基态结构也存在 着较大分歧。这些研究大都集中在Ga。As。团簇(Ga原子数目和As原子 数相等)上，对Ga和As原子数不等的团簇研究还非常少。 法系统研究了Ga}。As。(n=O一8)团簇。我们得到了大量的稳定结构， 和Gans。团簇的基态结构发生严重的畸变，和立方结构相差很大。对 Ga。一。As。(n=0—8)离子团簇研究发现，有的离子团簇基态结构会发生 重大畸变，完全不同于其中性团簇；还有部分离子团簇，虽然几何结 构没发生畸变，但它们的能量顺序会发生翻转。对这些团簇基态结构 们认为HOM0一LUM0能隙基本上和团簇的成分没有任何关联。我们还计 簇的基态结构应该具有更高的稳定性。 关键词：GaAs团簇；FP—LMT0一MD方法；基态结构；结合能 Abstract fi on first the research Inthis paper， 1y， present ndings are semiconductorcluster，especial1yaboutGaAscluster， l． we the indetai investigatedependence introduced Secondly， GaAsclusterswith atomson byfull一potential of eight position (FP—LMT0一MD) linear—muffin—tin—orbitalm01ecular—dynamics full ial this method method．Becauseof potentadopted， giVes tocalculationresults．Itbecomesoneofthe highprecision for the andelectronic bestmethodscalculatinggeometrical and surface)． structureofclusters(includingcrystalcrystal and clustershasbecomemore semiconductor The about study