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06静电场

外半径 R1 、内半径为 R2 的金属球壳中放一半径为 R3 的金属球,球壳和球均带有电量 q 的正电荷。 求:(1)球心的电势,(2)球壳电势。 电荷+q 分布在内球外表面 球壳内表面带电 – q 球壳外表面带电 2q R3 R2 R1 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - 电荷分布具有球对称,故场强分布也具有球对称,可以利用高斯定理求出电场的分布情况。 第四节 静电场中的导体 例 解 小球内部的电场: 小球外空腔内的电场: 球壳内部的电场: 球壳外部的电场: 球心处的电势: 球壳处的电势: 第四节 静电场中的导体 两块大导体平板,面积为 S ,分别带电 q1 和 q2 ,两板间距远小于板的线度, 求平板各表面的电荷密度。 ?2 ?3 ?4 ?1 q1 q2 B A 电荷守恒: 由静电平衡条件,导体板内 E = 0 第四节 静电场中的导体 例 解 第五节 静电场中的电介质 一、电介质的极化 电介质 (dielectric): ★电介质即绝缘体。 ★主要特征是电介质的分子中电子被原子核束缚得很紧,在外电场作用下,电子一般不能够脱离所属原子作宏观运动,在宏观上几乎没有自由电荷,导电性很差。 ★电场中存在电介质时,会影响原有的电场的分布。静电平衡时电介质内部的场强也可以不等于零。 1.电介质的微观图象 + - +- + 有极分子 无外场时: 有极分子 无极分子 一.电介质的极化 无极分子 有固有电偶极矩 正负电荷中心重合 无固有电偶极矩 第五节 静电场中的电介质 电介质呈电中性 热运动---紊乱 (2) 有电场时 有极分子介质 均匀 位移极化 边缘出现电荷分布 无极分子介质 称极化电荷 或称 束缚电荷 取向极化 共同效果 2.电介质分子对电场的影响 (1)无电场时 +- - + E P P E 第五节 静电场中的电介质 二、极化强度和极化电荷 1. 电极化强度 :电极化强度,单位C/m2 :分子电矩 电介质分子被极化后在表面的形成极化电荷,产生附加电场 ,这个电场与外电场 的矢量和构成了空间的总的电场 : 实验表明,对于各向同性电介质,其内部任意一点的极化强度与该点的场强成正比: 比例系数?e是与电介质材料有关的常数,称为极化率(electric polarizability) 第五节 静电场中的电介质 + + + + + - - - - - - - - - + + + + 2. 极化强度和极化电荷 均匀电场中放入电介质,取其中底为?S的圆柱面,有如下关系: 在一般情况下,表面极化电荷面密度等于电极化强度在介质表面外法线方向上的分量: 第五节 静电场中的电介质 3. 电介质中的场强——匀强电场的例子 + + + + + - - - - - - - - - + + + + 电介质中的总场强为 ,大小为: 即: 令 ?r=1+?e, 并且 ?=?0(1+?e)=??0 ,则: 其中?r称为相对介电常数(relative permittivity)。 第五节 静电场中的电介质 + + + + + - - - - - - - - - + + + + 电场中有电介质时就会产生束缚电荷,应用高斯定理计算高斯面内的电荷时就要将束缚电荷考虑进去。 对于图中所示的底面为?S 的圆柱形高斯面,应用高斯定理: 化简可得 。定义电位移矢量: 三、电位移、有介质时的高斯定理 第五节 静电场中的电介质 同样可以引入电位移通量。对前述闭合曲面求电位移通量,可得: 上式右边就是闭合曲面内自由电荷的总量。由此即可得到有介质时的高斯定理: 通过任一闭合曲面的电位移通量,等于该闭合曲面所包围的自由电荷的代数和。 这一定理是普遍成立的,是真空中高斯定理在电介质中的应用和推广,适合于各种介质(包括真空)。是电磁理论的重要方程之一。 第五节 静电场中的电介质 对于各向同性的均匀电介质,有: 第六节 电容 (Capacitance) 单位:F 例:真空中孤立导体球带电q时的电容: 附近没有其他带电体的孤立导体,其所带的电量q 与它的电势U成正比,比值q/U是与导体所带电量无关的一个物理量,用符号C表示,称为孤立导体的电容: 一、孤立导体的电容 + + + + + - - - - - B A 电容器是两个导体组成的系统,用来储存电荷和电能。 电容器电容定义: 平行板电容器:两个极板,分别带有电荷+q和?q,两板间电势差为?U。 二、

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