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2017-09-12 发布于上海
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strong electro-absorption in gesi epitaxy on silicon-on-insulator (soi)强劲electro-absorption gesi外延在绝缘体(soi).pdf

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strong electro-absorption in gesi epitaxy on silicon-on-insulator (soi)强劲electro-absorption gesi外延在绝缘体(soi)

Micromachines 2012, 3, 345-363; doi:10.3390/mi3020345 OPEN ACCESS micromachines ISSN 2072-666X /journal/micromachines Article Strong Electro-Absorption in GeSi Epitaxy on Silicon-on-Insulator (SOI) Ying Luo 1,*, Xuezhe Zheng 1, Guoliang Li 1, Ivan Shubin 1, Hiren Thacker 1, Jin Yao 1, 1 2 2 2 2 Jin-Hyoung Lee , Dazeng Feng , Joan Fong , Cheng-Chih Kung , Shirong Liao , 2 2 1 1 Roshanak Shafiiha , Mehdi Asghari , Kannan Raj , Ashok V. Krishnamoorthy and 1 John E. Cunningham 1 Oracle Labs, Oracle, 9515 Towne Centre Drive, San Diego, CA 92121, USA; E-Mails: xuezhe.zheng@ (X.Z.); glenn.li@ (G.L.); ivan.shubin@ (I.S.); hiren.thacker@ (H.T.); jin.yao@ (J.Y.); jin.hyoung.lee@ (J.-H.L.); kannan.raj@ (K.R.); ashok.krishnamoorthy@ (A.V.K.); john.cunningham@ (J.E.C.) 2 Kotura Inc., 2630 Corporate Place, Monterey Park, CA 91754, USA; E-Mails: dfeng@ (D.F.); jfong@ (J.F.); ckung@ (C.-C.K.); sliao@ (S.L.); rshafiiha@ (R.S.); masghari@ (M.A.) * Author to whom correspondence should be addressed; E-Mail: ying.l.luo@; Tel.: +1-858-526-9320; Fax: +1-858-526-9417. Received: 15 March 2012; in revised form: 6 April 2012 / Accepted: 18 April 2012 / Published: 26 April 2012 Abstract: We have investigated the selective epitaxial growth of GeSi bulk material on silicon-on-insulator substrates by reduced