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过电流热致失效 总能量（总静电电荷）不变的情况下，使PN结熔化所需的功率密度可由下式表示： P A = πKρCp(Tm-Ti)t -1 /2 式中，P为功率，A为面积，破坏温度为Tm，初始温度（室温）Ti，半导体的热导率K，密度ρ和比热Cp，t为放电脉冲宽度 如硅： ρ=2.33/cmj,Cp=0.755j/8.K,k=0.306W/cm.K,Tm=1688K. 回路中的电阻和电容决定回路静电放电的时间：t=RC。 因此，增加放电回路的串联电阻和电容是减小ESD损伤的有效途径。增加放电回路高阻区的横截面积（PN结面积）也是减小ESD损伤的重要途径。 反偏PN结比正偏PN结更容易发生热致失效，在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时，大部分功率消耗在结区外的体电阻上。 对于静电放电热致失效，环境温度越高，发生失效所需的静电能量越低。对于浅PN结，静电放电形成的焦耳热可导致区域温度超过铝-硅共熔点温度，使金属化渗入内部，穿透PN结使器件失效。 无论是过压失效还是过流失效，都必须考虑时间效应。静电脉冲虽然电压很高，但相对其它EOS应力而言其能量低，放电脉冲时间很短。 十八、静电对电子元器件的危害及防护原理 　　电子元器件按其种类不同，受静电破坏的程度也不一样，最低的100V静电压也会对其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化，因此要求相应的静电电压也在不断减弱。　　人体平常所感应的静电电压在2-4KV以上， 通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。也就是说，倘若我们日常生活中所带的静电电位与IC接触，那么几乎所有的 IC 都将被破坏，这种危险存在于任何没有采取静电防护措施的工作环境中。静电对 IC 的破坏不仅体现在电子元器件的制造工序当中，而且在IC的组装、运输等过程中都会对IC产生破坏。要解决以上问题，可以采取以下各种静电防护措施：　l、 操作现场静电防护。对静电敏感器件应在防静电的工作区域内操作；　2、 人体静电防护。操作人员穿戴防静电工作服、手套、工鞋、工帽、手　　　腕带；　3、 储存运输过程中静电防护。静电敏感器件的储存和运输不能在有电荷　　　的状态下进行。 　　要实现上述功能，基本做法是设法减小带电物的担压，达到设计要求的安全值以内。 即要求下式中的电荷（Q）与电阻（R）要小，静电容量（C）要大。　　　　　　　　V　=　I·R 　　　　Q　=　C·V　　式中V：电压 　Q：电荷量 　I：电流 　C：静电容量 　R：电阻 当然电阻值也不是越低越好，特别是在大面积场所的防静电区域内必须考虑漏电等安全措施之后再进行材料的选取。 十九、如何尽可能防止您的仪器损坏？ 【1】所有仪器必须有良好的接地措施！如果某一设备未接地或地线接触不良，会造成设备端口带电，这对于功率探头、信号源、频谱分析仪的输入输出端口及HPIB口是致命的，可在该端口与其它设备相连的瞬间损坏内部电路（衰减器、混频器、放大器、37717系列的输入电路等），造成很大经济损失。另外，有部分电源插座质量不佳，地线经常接触不良造成仪器损坏。 【2】电子仪器（尤其微波设备）对静电非常敏感，应采取严格的静电防护措施（特别对于仪器的入输出端口）。 【3】禁止输入超过仪器允许范围的信号，有些仪器内部采用直流耦合（主要是频谱仪），绝对禁止叠加有直流成分的信号输入！请见仪器上的标识。 【4】对于高频探头如85024A应注意避免将探针对准易带静电的物体如衣物等。 【5】不要带电插拔HPIB电缆或其它带电设备，否则可能造成损坏。 【6】电源要求220V +5% -10%，瞬间变动不能超过+15% -15% 且应在0.5秒内恢复至220V。瞬间冲击电压若大于100V且持续超过20uS将使设备产生问题。 二十、警告！！！ 经常工作在高压环境(例如，250VAC以上，诸如系统修理/维护)的人员不应该使用腕带或脚带，或倚靠在工作台垫上，因为它们提供从身体到地的通路。一个工人应该做PCA处理或者机器维护，不能两者都做。这是两种不同的工作，要求不同的程序和设备。　　完美的工作台。为了达到零伏静电电荷，所有不必要的材料都应该从工作站拿走，特别是普通塑料、泡沫和纸张。应该留意保持计算机显示器至少离开PCA 24(60 cm)。一张认可的(查找ESD三角标记)接地垫应该覆盖在工作台上。应该给腕带提供快速插座。防静电地板垫是有益的，只要PCA或零件保存在该工作站，不必要用手工搬运到一个ESD不安全的区域(例如，普通水泥地板或地毯)。