CSD-La3TaO7薄膜外延生长行为-西北有色金属研究院.PDF

第45 卷 第7 期 稀有金属材料与工程 Vol.45, No.7 2016 年 7 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING July 2016 CSD-La TaO 薄膜外延生长行为 3 7 王 耀，李成山，于泽铭，冯建情，金利华，王 辉，张平祥 (西北有色金属研究院，陕西 西安 710016) 摘 要：研究 CSD 技术制备 La TaO （LTO ）缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取向生长的影 3 7 响，通过选取恰当的LTO 前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好c 轴织构的LTO 薄膜。 关键词：涂层导体；缓冲层；化学溶液沉积 + 中图法分类号：O782. 9 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(20 16)07- 1832-04 第2 代高温超导涂层导体相对于Bi-2223/Ag 第 1 研究最多，近年来发展出的La TaO （LTO ）薄膜，虽 3 7 代高温超导带材，在77 K 下显示出更好的磁场载流性 然与 Ni-W 衬底的晶格失配度高达 9.97% ，但是仍然 能，因而成为目前实用高温超导材料的研究热点。在 可以在 Ni-W 基带上发生良好的外延生长，甚至与基 由金属基带/ 缓冲层/超导层/保护层组成的涂层导体结 带相比织构度还有所锐化，因此被认为是一种很有前 构中，缓冲层是其中的关键功能层，它主要承担着织 景的氧化物缓冲层材料。本研究采用新型前驱物利用 [1-5] 构传递和阻隔扩散两大任务 。由于 YBCO 具有强 CSD 法在织构的Ni-W 基带上制备了LTO 薄膜，通过 烈的各向异性，因此为了获得高性能的涂层导体带材， 改变前驱液的配制方式以及薄膜的热处理工艺条件， 首先必须制得具有良好双轴织构的缓冲层薄膜，从而 研究LTO 前驱液蒸干所得凝胶的热分解行为以及LTO [6] 诱导超导层薄膜发生取向生长 。同时人们一直在探 薄膜结构、织构和形貌的变化，考察了影响LTO 缓冲 索采用一种高度稳定且相对简单的工艺来制备涂层导 层薄膜外延生长的相关因素，并获得了制备具有良好 体带材，目前国际上主要发展了 2 大类涂层导体制备 c 轴织构LTO 缓冲层薄膜的最佳热处理工艺路线。 技术：离子束辅助沉积/物理气相沉积（IBAD/PVD ） 1 实 验 技术组合和轧制辅助双轴织构/ 化学溶液沉积 （RABiTS/CSD ）技术组合。IBAD/PVD 技术成为制 整个LTO 前驱液的制备过程都是在空气气氛下完 备高性能涂层导体的主要手段，而RABiTS/CSD 技术 成的。前驱物分别选择采用异丙醇镧、乙酰丙酮镧、 成为低成本涂层导体的努力方向。然而涂层导体的大 乙醇钽和乙酰丙酮四乙醇钽，2- 甲氧基乙醇、丙酸、 规模应用必须依赖于其制备成本的降低，因此